拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司李赫获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种半导体设备的晶圆暂存机构及其薄膜沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223979032U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520333903.5，技术领域涉及：H10P72/00；该实用新型一种半导体设备的晶圆暂存机构及其薄膜沉积设备是由李赫;王磊;沙俊汀;马硕;周海洋设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体设备的晶圆暂存机构及其薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体设备的晶圆暂存机构，其包括：冷却缓存腔体单元，连接于所述冷却缓存腔体单元的加热缓存腔体单元，用于驱动晶圆在所述冷却缓存腔体单元内升降动作的第一晶圆加载单元，以及用于驱动晶圆在所述加热缓存腔体单元内升降动作的第二晶圆加载单元。本实用新型还公开了一种薄膜沉积设备，其将晶圆加热腔体和晶圆冷却腔室集成在一起，降低晶圆工艺设备与冷却或加热单元之间的距离，降低晶圆转移所需时间，提高转移效率，同日集成结构提高了空间利用率，且采用升降模组驱动晶圆升降，方便晶圆加热或冷却以及传片，增强了通用性。
本实用新型一种半导体设备的晶圆暂存机构及其薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备的晶圆暂存机构，其特征在于，包括：冷却缓存腔体单元，连接于所述冷却缓存腔体单元的加热缓存腔体单元，用于驱动晶圆在所述冷却缓存腔体单元内升降动作的第一晶圆加载单元，以及用于驱动晶圆在所述加热缓存腔体单元内升降动作的第二晶圆加载单元。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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