华南理工大学涂治红获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利前半球轴比波束覆盖的低剖面圆极化天线获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223978100U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520610948.2，技术领域涉及：H01Q1/38；该实用新型前半球轴比波束覆盖的低剖面圆极化天线是由涂治红;毕紫琪;陈付昌;王云设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本前半球轴比波束覆盖的低剖面圆极化天线在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种前半球轴比波束覆盖的低剖面圆极化天线，包括：第一介质基板、微带辐射贴片、金属地板、金属化通孔、馈电探针；第一介质基板的上表面印刷有微带辐射贴片，下表面设置金属地板；第一介质基板内部设置有金属化通孔；微带辐射贴片设置有缺口环形缝隙、圆弧化处理的矩形缝隙、圆弧化处理的切角结构；金属地板上蚀刻有供馈电探针通过的圆孔；馈电探针穿过第一介质基板与微带辐射贴片的中心连接。本实用新型在实现宽轴比波束性能的同时，进一步实现了前半球的轴比波束覆盖，除此之外还兼具剖面低，结构简单等优势。
本实用新型前半球轴比波束覆盖的低剖面圆极化天线在权利要求书中公布了：1.前半球轴比波束覆盖的低剖面圆极化天线，其特征在于，包括介质基板1、微带辐射贴片2、金属地板3、金属化通孔4和馈电探针5；所述介质基板1的上表面印刷有微带辐射贴片2；所述介质基板1内部设置有金属化通孔4；所述介质基板1的下表面设置有金属地板3；所述微带辐射贴片2为正方形贴片，其中心部位开设有同心的缺口环形缝隙21，其每条边的中心处均开设有一个末端做圆弧化处理的矩形缝隙22，相平行的两条边上的矩形缝隙22关于微带辐射贴片2的中轴线对称分布，且相邻两条边上的矩形缝隙22长短不一，通过调节矩形缝隙22的长度能够优化天线的圆极化性能，所述微带辐射贴片2的四个角为圆弧化处理的切角结构23；所述金属地板3上蚀刻有供馈电探针5通过的圆孔；所述馈电探针5穿过介质基板1与微带辐射贴片2的中心连接，将信号通过同轴线馈电的方式激励微带辐射贴片2进行辐射。
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