上海威浪达科技有限公司顾金杰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海威浪达科技有限公司申请的专利单层结构的波导转接口结构、天线及雷达获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223978079U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520754139.9，技术领域涉及：H01P3/12；该实用新型单层结构的波导转接口结构、天线及雷达是由顾金杰;章宇平设计研发完成，并于2025-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本单层结构的波导转接口结构、天线及雷达在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种单层结构的波导转接口结构、天线及雷达，包括：PCB主板、波导接口结构；波导接口结构的E面波导槽的侧壁向远离E面波导槽底面所在平面的方向具有一延伸部，形成基墙；基墙的端部连接有多个间隔排列的第一磁导体钉柱；通过基墙和第一磁导体钉柱与E面波导槽共同构成E面波导腔体；E面波导槽一端为端面封闭的封闭端，与波导孔相对设置，封闭端的转角处设置有匹配体。本实用新型能够在局促的波导芯片投影面积内布置更多的波导接口和传输线，在增加了E面波导腔体体积的同时，兼顾多个E面波导腔体之间的隔离度，使得天线体可单独一体成型。
本实用新型单层结构的波导转接口结构、天线及雷达在权利要求书中公布了：1.一种单层结构的波导转接口结构，其特征在于，包括：PCB主板1、波导接口结构2； 所述PCB主板1具有表面覆铜的PCB顶面11，所述PCB顶面11设置有波导孔12； 所述波导接口结构2的一侧开设有E面波导槽21，所述E面波导槽21截面的长边垂直于PCB顶面11，短边平行于PCB顶面11； 所述E面波导槽21的侧壁向远离所述E面波导槽21底面所在平面的方向具有一延伸部，形成基墙24； 所述基墙24的端部连接有多个间隔排列的第一磁导体钉柱22； 通过所述基墙24和所述第一磁导体钉柱22在所述E面波导槽21的一侧围成一延伸空间，所述延伸空间与所述E面波导槽21共同构成E面波导腔体； 其中，所述E面波导槽21一端为端面封闭的封闭端，所述封闭端与所述波导孔12相对设置，所述封闭端的转角处设置有匹配体23，使竖向传输的波导孔12与横向传输的E面波导腔体90度扭转匹配；所述E面波导槽21另一端为端面开放的开放端，用于连接波导传输线。
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