台湾积体电路制造股份有限公司罗文勋获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及半导体结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223977465U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520014996.5,技术领域涉及:G02F1/015;该实用新型半导体装置及半导体结构是由罗文勋;江嘉伟;叶胜凯;施启元;徐英杰;黄士芬设计研发完成,并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体结构在说明书摘要公布了:光子集成电路中的光调变器结构包括在光调变器结构的光学模式例如,光调变器结构的产生光的区域处的U形P‑N结。相对于另一种类型的结例如水平结或I形结,U形P‑N结在光学模式下提供了增加的P‑N结重叠面积。增加的重叠面积使得光调变器结构能够实现更高的调变效率。
本实用新型半导体装置及半导体结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其特征在于,包括: 介电层;以及 光调变器结构,位于所述介电层中,包括: 第一区,包括第一掺杂剂类型; 第二区,在所述第一区的底部表面上,包括第二掺杂剂类型;以及 第三区,在所述第二区的底部表面上,包括所述第一掺杂剂类型,其中所述第一区、所述第二区和所述第三区对应所述光调变器结构的P-N结二极管。
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