上海显耀显示科技有限公司徐群超获国家专利权
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龙图腾网获悉上海显耀显示科技有限公司申请的专利发光二极管芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398326B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511981147.8，技术领域涉及：H10H29/80；该发明授权发光二极管芯片是由徐群超;陈伟新设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光二极管芯片。本发明的发光二极管芯片包括发光二极管单元以及覆盖在发光二极管单元的侧壁的硬掩膜，硬掩膜侧壁上覆盖有绝缘层，绝缘层的侧壁以连续向下延伸的趋势延伸，以使得所述绝缘层的外壁在所述电极层和所述发光主体的连接位置处不形成台阶，所述台阶被限定为主要延伸方向为水平的壁面。由于不形成台阶，那么在像素尺寸一定的情况下能够允许发光二极管单元的发光主体的尺寸做得较大，从而获得面积较大的发光区域，以提升出光率。
本发明授权发光二极管芯片在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管芯片100，其特征在于，包括衬底1和多个发光二极管单元21，所述多个发光二极管单元在所述衬底上呈阵列式排布，其中，每一个所述发光二极管单元包括： 发光主体211，所述发光主体包括从下往上依次堆叠的第一类型半导体2113、发光层2112和第二类型半导体2111， 电极层212，所述电极层的径向尺寸大于所述发光主体211的径向尺寸并定位在所述发光主体底部，从而将所述发光主体和所述发光二极管芯片的电极导电连接， 硬掩膜214，所述硬掩膜覆盖在所述发光层和所述第一类型半导体的侧壁；以及 绝缘层217，所述绝缘层217覆盖在所述电极层212的侧壁，以及所述硬掩膜214的侧壁， 其中，所述绝缘层在所述发光主体和所述电极层的连接位置处以连续的向下延伸趋势延伸，以使得所述绝缘层的外壁在所述电极层和所述发光主体的连接位置处不形成台阶，所述台阶被限定为主要延伸方向为水平的壁面。
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