正泰新能科技股份有限公司郝江鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉正泰新能科技股份有限公司申请的专利一种太阳能电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223968154U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520578282.7，技术领域涉及：H10F77/20；该实用新型一种太阳能电池是由郝江鹏;刘斌鹏;任宝金;余浩;蔡永梅;何胜;徐伟智设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种太阳能电池，应用于光伏技术领域，包括：衬底；衬底背面包括栅线区域和非栅线区域；栅线区域设置有背面栅线和沿衬底自身厚度方向设置的至少一组功能层，一组功能层包括隧穿层和掺杂多晶硅层；背面栅线插入功能层，且与靠近衬底的掺杂多晶硅层接触；非栅线区域未设置隧穿层和掺杂多晶硅层；背面栅线的宽度和栅线区域的宽度的比值为15~118，且包括两端的值；掺杂多晶硅层的总厚度为70nm~200nm，且包括两端的值。本实用新型综合考虑各个参数对电池性能的影响后，采取上述参数范围时，电池综合电性能参数达到最好，在实现电池性能的最优平衡的同时，也避免了局部对位印偏的风险，从而可以获得最佳电池效率。
本实用新型一种太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：衬底；所述衬底背面包括栅线区域和非栅线区域；所述栅线区域设置有背面栅线和沿所述衬底自身厚度方向设置的至少一组功能层，一组所述功能层包括隧穿层和掺杂多晶硅层；所述背面栅线插入所述功能层，且与靠近所述衬底的所述掺杂多晶硅层接触；所述非栅线区域未设置所述隧穿层和所述掺杂多晶硅层； 所述背面栅线的宽度和所述栅线区域的宽度的比值为15~118，且包括两端的值；所述掺杂多晶硅层的总厚度为70nm~200nm，且包括两端的值。
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