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龙图腾网获悉合肥硅臻芯片技术有限公司申请的专利一种多量子比特纠缠态产生装置和产生方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121390345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511971725.X，技术领域涉及：G06N10/40；该发明授权一种多量子比特纠缠态产生装置和产生方法是由丁禹阳;龚攀;赵远洋;郭家玉设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多量子比特纠缠态产生装置和产生方法在说明书摘要公布了：申请公开了一种多量子比特纠缠态产生装置和产生方法，包括纠缠态准备模块、多层量子编码模块、探测模块、控制模块，多层量子编码模块包括n层测量编码结构，控制模块通过路径编码单元对不同路径输入的光子进行测量基设置和路径编码，使得不同路径输入、代表不同n量子比特基态的光子经由不同的路线后从不同的路径编码单元输出并进入相应的单光子探测器，在多个周期的测量编码后对探测模块中所有的单光子探测器的探测结果进行统计分析，获得具有r个基态的n量子比特纠缠态。多量子比特状态的构建过程被转化为多层量子测量过程，减少所需设置的干涉单元的数量、空间以及控制信号数量，从而降低了量子计算测控系统的复杂度和成本。

本发明授权一种多量子比特纠缠态产生装置和产生方法在权利要求书中公布了：1.一种多量子比特纠缠态产生装置，其特征在于，包括纠缠态准备模块、多层量子编码模块、探测模块、控制模块； 纠缠态准备模块用于在每个周期内产生一个处于叠加态的光子并由r条路径的任一条输出； 多层量子编码模块包括n层测量编码结构，探测模块包括多个单光子探测器，n、r均为大于1的整数，2n≥r≥2； 第1层测量编码结构包括并列设置的m个路径编码单元，m为大于1的整数，r≥m≥2，纠缠态准备模块输出的光子经由r条路径的任一条传输至第1层测量编码结构的m个路径编码单元，第2层测量编码结构包括并列设置的m2向上取整个路径编码单元，以此类推，直至第i层包括2个路径编码单元，第i～n-1层均包括2个路径编码单元，i为大于1的整数，n-1＞i＞1，第n层包括1个路径编码单元，每个路径编码单元包括两个输入端口和两个输出端口，第1～n层的路径编码单元依次交叉级联，第1～n-1层中每个路径编码单元的一个输出端口连接下一层测量编码结构，另一个输出端口连接探测模块中的一个单光子探测器，第n层测量编码结构的路径编码单元连接两个单光子探测器； 控制模块用于对各层测量编码结构中的各个路径编码单元实施编程控制，从而通过路径编码单元对不同路径输入的光子进行测量基设置和路径编码，使得不同路径输入、代表不同的n量子比特基态的光子经由不同的路线后从不同的路径编码单元输出并进入相应的单光子探测器； 控制模块还用于在多个周期的测量编码后对探测模块中所有的单光子探测器的探测结果进行统计分析，完成光子的测量编码，获得具有r个基态的n量子比特纠缠态。

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