无锡尚积半导体科技股份有限公司宋永辉获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利用于镀膜设备的防粒子沉积遮件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121344569B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511915135.5,技术领域涉及:C23C16/458;该发明授权用于镀膜设备的防粒子沉积遮件是由宋永辉;张陈斌;沈健;王世宽设计研发完成,并于2025-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于镀膜设备的防粒子沉积遮件在说明书摘要公布了:本申请公开了一种用于镀膜设备的防粒子沉积遮件,设于镀膜腔内,包括设置呈环状的上板和下板,上板和下板之间通过上下交错并间隔排列的挡板形成有迷宫型气流通道;遮件外缘与镀膜腔内壁之间存在0‑2mm的间隙,镀膜腔的腔壁接地,将间隙构造成以正电荷为主的电子耗尽区;通过迷宫型通道拦截误入的粒子,并通过电子耗尽区阻挡沿间隙逃逸的粒子,可大幅降低下方腔体的受污染频率,从而减少设备的停机时间与维护成本;迷宫型气流通道和电子耗尽区均为非阻断式设计,迷宫型通道不会阻碍反应气体的正常输送,电子耗尽区也不会影响晶圆与遮件的升降,在实现防污染功能的同时,完全适配现有镀膜设备的工艺节奏,无需改动设备的主体结构。
本发明授权用于镀膜设备的防粒子沉积遮件在权利要求书中公布了:1.一种用于镀膜设备的防粒子沉积遮件,设于镀膜腔10内,其特征在于,包括设置呈环状的上板1和下板2,所述上板1与所述下板2相连、二者之间形成有封闭空间; 所述封闭空间内设有上下交错并间隔排列的挡板3,所述挡板3能够复杂化气体在所述封闭空间内的流动路径,将所述封闭空间构造成迷宫型气流通道; 所述遮件外缘与所述镀膜腔10内壁之间存在0-2mm的间隙,所述镀膜腔10的腔壁接地,将所述间隙构造成以正电荷为主的电子耗尽区; 所述下板2上设有进气孔2a,所述上板1上设有出气孔1a; 镀膜设备工作时,载台20携晶圆上升、顶起所述遮件,反应气体通过所述进气孔2a,进入所述迷宫型气流通道、再从所述出气孔1a流出、进入反应区域; 通过所述出气孔1a进入所述迷宫型气流通道的粒子,会因通道曲折撞击所述挡板3、最终耗尽动能而沉降在所述迷宫型气流通道中; 进入所述电子耗尽区的粒子会因强电场力的作用和电荷的分离特性、最终失去活性或无法突破所述间隙而被限制; 所述迷宫型气流通道和所述电子耗尽区配合,能限制粒子的运动范围、避免其污染所述载台20或下方腔体,从而保障镀膜工艺的稳定性与薄膜的制备良率。
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