北京宽温微电子科技有限公司郑遨金获国家专利权
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龙图腾网获悉北京宽温微电子科技有限公司申请的专利一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121331192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511882191.3，技术领域涉及：G11C11/419；该发明授权一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统是由郑遨金;程平;周戬设计研发完成，并于2025-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统，涉及寄存器技术领域，该SRAM读写辅助电路包括写辅助电路、读辅助电路以及控制模块，当处于读数据阶段时，控制模块用于向写辅助电路、读辅助电路下发送第一控制信号，关闭写辅助电路，驱动读辅助电路抬高SRAM阵列模块的电源电压，并拉低SRAM阵列模块的电源地电压。当处于写数据阶段时，控制模块用于向写辅助电路、读辅助电路发送第二控制信号，关闭读辅助电路，驱动写辅助电路拉低SRAM阵列模块的电源电压，并抬高SRAM阵列模块的电源地电压。基于此，本申请构建了一个外围辅助电路，以提高SRAM的抗干扰能力和读写稳定性。
本发明授权一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统在权利要求书中公布了：1.一种SRAM读写辅助电路，应用于SRAM存储系统，所述SRAM存储系统包括SRAM阵列模块，其特征在于，所述SRAM读写辅助电路包括写辅助电路、读辅助电路以及控制模块，所述写辅助电路的输出端、所述读辅助电路的输出端均与所述SRAM阵列模块的电源端连接；所述控制模块还与所述写辅助电路、所述读辅助电路的控制端连接； 当处于读数据阶段时，所述控制模块用于向所述写辅助电路、所述读辅助电路发送第一控制信号，关闭所述写辅助电路，驱动所述读辅助电路基于电容特性抬高所述SRAM阵列模块的电源电压，并拉低所述SRAM阵列模块的电源地电压，以提高读噪声容限； 当处于写数据阶段时，所述控制模块用于向所述写辅助电路、所述读辅助电路发送第二控制信号，关闭所述读辅助电路，驱动所述写辅助电路拉低所述SRAM阵列模块的电源电压，并抬高所述SRAM阵列模块的电源地电压，以提高写噪声裕度。
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