买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉苏州镓敏光电科技有限公司申请的专利一种抑制比增强的日盲紫外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121285104B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511843357.0，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种抑制比增强的日盲紫外探测器及其制备方法是由陆海;周东设计研发完成，并于2025-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抑制比增强的日盲紫外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种抑制比增强的日盲紫外探测器及其制备方法，属于半导体紫外光电探测器件技术领域。包括自下而上设置的蓝宝石衬底层、i型AlN缓冲层、i型AlGaN过渡层、重掺杂欧姆接触层、低掺杂光吸收层和p型GaN欧姆接触层，p型GaN欧姆接触层上方设置有p型欧姆金属电极，重掺杂欧姆接触层上还设置有n型欧姆接触电极，p型欧姆金属电极上方设置有金属焊盘。蓝宝石衬底层底部镀有带通滤波膜，带通滤波膜的透过端位于UVC波段。该日盲紫外探测器能够改善当前AlGaN基日盲探测器抑制比差，受太阳光干扰严重的问题。

本发明授权一种抑制比增强的日盲紫外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抑制比增强的日盲紫外探测器，其特征在于，包括自下而上设置的蓝宝石衬底层1、i型AlN缓冲层2、i型AlGaN过渡层3、重掺杂欧姆接触层4、低掺杂光吸收层5和p型GaN欧姆接触层6，所述重掺杂欧姆接触层4上具有图形区域，所述低掺杂光吸收层5和p型GaN欧姆接触层6位于所述图形区域中，所述p型GaN欧姆接触层6上方设置有p型欧姆金属电极7，所述重掺杂欧姆接触层4上还设置有围绕所述图形区域的n型欧姆接触电极8，所述p型欧姆金属电极7上方设置有金属焊盘m，所述金属焊盘m、所述p型欧姆金属电极7、所述n型欧姆接触电极8、所述p型GaN欧姆接触层6、低掺杂光吸收层5和重掺杂欧姆接触层4的外围设有钝化层n，所述蓝宝石衬底层1底部镀有带通滤波膜9，所述带通滤波膜9的透过端位于UVC波段，所述带通滤波膜9包括自下而上交替蒸镀的第一金属层91、介质层92和第二金属层93，所述第一金属层91和所述第二金属层93为Al、Ag、Pt或上述金属的合金材质，所述介质层92为二氧化硅、氮化硅或氧化铝材质； 240-280nm波段的紫外光在所述带通滤波膜9的透过率高于40％，400-320nm波段和320-290nm波段的紫外光在所述带通滤波膜9透过率低于5％。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州镓敏光电科技有限公司，其通讯地址为：215009 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区02幢706室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。