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龙图腾网获悉巨霖科技(上海)有限公司申请的专利一种MOSFET器件仿真模型计算方法、计算机设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121279218B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511842724.5，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种MOSFET器件仿真模型计算方法、计算机设备及存储介质是由范煜堂;李世琛;孙家鑫设计研发完成，并于2025-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOSFET器件仿真模型计算方法、计算机设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MOSFET器件仿真模型计算方法、计算机设备及存储介质，包括：根据外部输入参数进行仿真模型内部参数变量的传值；在缩放时进行变量异常检查，并先进行电学栅极等效氧化层厚度更新，再进行边缘场电容计算；对缩放后的模型内部参数变量进行范围检查，并进行关联变量异常检查；引入非均匀耗尽宽度效应的体偏置系数对未超出范围的模型内部参数变量进行模型计算，获得各个节点的电流、电荷、电导和电容；根据模型计算结果进行模型矩阵的元素填值，并引入倍乘参数分别对电流、电荷和FN噪声进行倍乘。该方案能够进一步提升MOSFET器件模型的正确性与精度，进而在整个电路进行仿真时，可以更好地保证仿真结果的可靠性。

本发明授权一种MOSFET器件仿真模型计算方法、计算机设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件仿真模型计算方法，其特征在于，包括： 根据外部输入参数进行所述仿真模型内部参数变量的传值，所述外部输入参数包括模型参数、实例参数，所述模型参数包括栅诱导漏极漏电流钳制参数和噪声钳制参数； 根据温度或几何尺寸对所述模型内部参数变量进行缩放，并在所述缩放时进行所述模型内部参数变量和计算中间变量的异常检查，以及在所述缩放时先进行电学栅极等效氧化层厚度的更新，再根据更新后的电学栅极等效氧化层厚度值进行边缘场电容的计算； 对缩放后的所述模型内部参数变量进行范围检查，并在所述范围检查时进行关联变量的异常检查； 引入非均匀耗尽宽度效应的体偏置系数对未超出范围的所述模型内部参数变量进行模型计算，获得各个节点的电流I、电荷Q、电导G和电容C，并在模型计算时修正导致所有端电压为零时、端电流非零的变量； 根据模型计算结果进行I、G、Q、C模型矩阵的元素填值及矩阵求解，并引入倍乘参数分别对电流I、电荷Q和FN噪声进行倍乘。

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