山西创芯光电科技有限公司李艳获国家专利权
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龙图腾网获悉山西创芯光电科技有限公司申请的专利基于三层掩膜的红外探测器深台面刻蚀工艺及红外探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262923B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511794930.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权基于三层掩膜的红外探测器深台面刻蚀工艺及红外探测器是由李艳;张培峰;王伟;刘慧颖;张冬凯;邢其瑞设计研发完成，并于2025-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于三层掩膜的红外探测器深台面刻蚀工艺及红外探测器在说明书摘要公布了：本申请提供了基于三层掩膜的红外探测器深台面刻蚀工艺及红外探测器，属于红外探测器台面刻蚀领域；该工艺包括以下步骤：在超晶格外延层表面旋涂应力缓冲层，并固化成型；沉积作为刻蚀阻挡层的硬掩膜；沉积无机氧化物；旋涂光刻胶，形成复合图形化顶层，然后经光刻工艺形成台面图形；以台面图形为掩膜，通过反应离子刻蚀转移台面图形至硬掩膜；采用等离子体刻蚀应力缓冲层，直至露出超晶格外延层表面；以三层掩膜为阻挡，采用感应耦合等离子体进行深刻蚀，刻蚀深度5.6~6μm；后处理步骤；本申请的工艺可以在不引入额外污染和显著成本上升的前提下，实现高质量、高深宽比的台面刻蚀，适用于深台面、高深宽比器件的制备。
本发明授权基于三层掩膜的红外探测器深台面刻蚀工艺及红外探测器在权利要求书中公布了：1.一种基于三层掩膜的红外探测器深台面刻蚀工艺，其特征在于：包括以下步骤： 1在超晶格外延层表面旋涂应力缓冲层，并固化成型； 2沉积作为刻蚀阻挡层的硬掩膜； 3沉积无机氧化物； 4旋涂光刻胶，形成复合图形化顶层，然后经光刻工艺形成台面图形； 经过上述步骤1-4在超晶格衬底表面自下而上形成了应力缓冲层-刻蚀阻挡层-复合图形化顶层的三层掩膜； 5以台面图形为掩膜，通过反应离子刻蚀转移台面图形至硬掩膜； 6采用等离子体刻蚀应力缓冲层，直至露出超晶格外延层表面； 7以三层掩膜为阻挡，采用感应耦合等离子体进行深刻蚀，刻蚀深度5.6~6μm； 8使用光刻胶保护刻蚀后的侧壁； 9采用阶梯湿法化学工艺依次去除各层掩膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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