西安唐晶量子科技有限公司龚平获国家专利权
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龙图腾网获悉西安唐晶量子科技有限公司申请的专利一种VCSEL外延片电阻率分布测量方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121231976B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511783252.0,技术领域涉及:G01R31/26;该发明授权一种VCSEL外延片电阻率分布测量方法及系统是由龚平;刘邦;夏天文;范星;史康桥;王元设计研发完成,并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种VCSEL外延片电阻率分布测量方法及系统在说明书摘要公布了:本发明属于半导体器件性能测试技术领域,具体涉及一种VCSEL外延片电阻率分布测量方法及系统,其方法包括:构建表征外延片的三维离散化模型和包含垂直电阻率、顶部横向电阻率及衬底漏电结非线性电阻的未知参数向量;定义物理响应函数,通过离散点拟合算法,迭代该向量使函数输出的模拟电压差与跨数量级电流下的实测电压值之间的总残差最小,从最优参数向量中提取真实的垂直电阻率;并在二维测试点网格上获取各点垂直电阻率以生成分布图并进行异常检测。本发明解决了衬底漏电缺陷导致的测量失真问题,提高了垂直电阻率的测量准确性。
本发明授权一种VCSEL外延片电阻率分布测量方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种VCSEL外延片电阻率分布测量方法,其特征在于,包括: 获取外延片结构参数;通过四探针测试,在外延片上施加至少两个不同数量级的输入电流,并分别测量每一个输入电流对应的电压值,构建电流电压点集;构建表征外延片的三维离散化模型;定义未知参数向量,未知参数向量包括反射镜层的垂直电阻率、顶部横向电阻率和衬底漏电结的非线性电阻;定义物理响应函数,物理响应函数用于根据未知参数向量和任一输入电流,在三维离散化模型上求解电势场,并输出模拟电压差;通过离散点拟合算法,以电流电压点集中的电压值为目标,迭代未知参数向量,使物理响应函数输出的模拟电压差与电压值之间的总残差最小;当总残差小于收敛阈值时,得到最优参数向量;从最优参数向量中提取反射镜层的垂直电阻率; 在外延片表面设置二维测试点网格,获取网格的每个测试点处的垂直电阻率值;根据各测试点处的垂直电阻率值生成外延片垂直电阻率分布图,根据垂直电阻率分布图进行外延片电阻率异常检测; 所述定义物理响应函数,包括:将未知参数向量中的物理参数转换为电学属性,并分配给三维离散化模型中的对应单元;在外延与衬底交界面上施加由Shockley二极管方程对应的非线性传输规则;调用数值求解器在整个三维模型上求解电势场;从电势场中,读取模拟内侧两探针对应单元的电势值,并以两电势值之间的差值为模拟电压差,以模拟电压差为物理响应函数的输出。
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