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龙图腾网获悉西安唐晶量子科技有限公司申请的专利一种VCSEL外延片应力分布监测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121230927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511793481.0，技术领域涉及：G01L1/24；该发明授权一种VCSEL外延片应力分布监测方法及系统是由龚平;夏天文;刘邦;韩洋佳;范星;王元设计研发完成，并于2025-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种VCSEL外延片应力分布监测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及应力测试技术领域，尤其涉及一种VCSEL外延片应力分布监测方法及系统。方法包括步骤：获取各测量点的PL光谱以及PL光谱的峰值波长，并将PL光谱分解为沿第一晶向和第二晶向的偏振分量；基于偏振分量的峰值强度，得到测量点的初始偏振正交度；获取VCSEL外延片的参考波长，计算测量点的热致波长漂移因子；基于热致波长漂移因子和设定的最大饱和值，计算测量点的热致偏振伪差，热致偏振伪差与热致波长漂移因子正相关，并以最大饱和值为上限；在初始偏振正交度中减去热致偏振伪差，得到纯净应力指标；将纯净应力指标映射到对应坐标，得到VCSEL外延片的应力分布图，有效地提高了VCSEL外延片应力分布监测结果的准确性。

本发明授权一种VCSEL外延片应力分布监测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种VCSEL外延片应力分布监测方法，其特征在于，包括： 获取各测量点的PL光谱以及PL光谱的峰值波长，并将PL光谱分解为沿第一晶向和第二晶向的偏振分量； 基于偏振分量的峰值强度，得到测量点的初始偏振正交度； 获取VCSEL外延片的参考波长，计算测量点的热致波长漂移因子，包括：；为第i测量点的热致波长漂移因子，为第i测量点的PL光谱峰值波长，为VCSEL参考波长，为温度敏感因子，为第i测量点的组分缺陷程度，为线性归一化函数，热致波长漂移因子与峰值波长和参考波长的差值正相关，与温度敏感因子以及组分缺陷程度负相关； 基于热致波长漂移因子和设定的最大饱和值，计算测量点的热致偏振伪差，包括：；为第i测量点的热致偏振伪差，为偏振伪差最大饱和值，为热偏振耦合系数，为第i测量点的热致波长漂移因子，为以e为底的指数函数，热致偏振伪差与热致波长漂移因子正相关，并以最大饱和值为上限；在初始偏振正交度中减去热致偏振伪差，得到纯净应力指标； 将纯净应力指标映射到对应坐标，得到VCSEL外延片的应力分布图。

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