深圳市昇维旭技术有限公司张祥获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利半导体结构、半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121218670B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511747592.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体结构、半导体装置及其制造方法是由张祥设计研发完成，并于2025-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构、半导体装置及其制造方法，半导体结构包括：晶体管，所述晶体管包括沟道层、与所述沟道层相对的栅极层以及位于所述沟道层和所述栅极层之间的栅极绝缘层，所述栅极层包含钛；钛吸收层，所述钛吸收层位于所述栅极层不与所述沟道层相对的至少一个表面。根据本申请的半导体结构、半导体装置及其制造方法，可以有效提升栅极的击穿电压。
本发明授权半导体结构、半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 晶体管，所述晶体管包括沟道层、与所述沟道层相对的栅极层以及位于所述沟道层和所述栅极层之间的栅极绝缘层，所述栅极层包含钛； 钛吸收层，所述钛吸收层位于所述栅极层不与所述沟道层相对的至少一个表面； 其中，所述栅极层包括堆叠的栅极金属层和黏附层，所述黏附层包含钛，所述栅极金属层接触所述栅极绝缘层和所述钛吸收层，所述钛吸收层接触所述栅极金属层且延伸至接触所述黏附层，所述钛吸收层与所述栅极金属层之间的界面断裂能低于所述栅极绝缘层与所述栅极金属层之间的界面断裂能。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昇维旭技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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