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龙图腾网获悉芯辰半导体(苏州)有限公司申请的专利一种具有双层光栅结构的分布反馈式激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121216217B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511786579.3，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权一种具有双层光栅结构的分布反馈式激光器是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有双层光栅结构的分布反馈式激光器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种具有双层光栅结构的分布反馈式激光器，涉及激光器技术技术领域，该激光器在n型InP衬底上依次形成InGaAlAs多量子阱有源区、上层取样光栅层和下层相移光栅层，上层光栅层基于重构等效啁啾技术设计，沿谐振腔轴向具有两段取样周期呈相反方向线性渐变的非对称调制区域，下层光栅层为与上层种子光栅周期匹配的四分之一波长相移光栅。通过双层光栅产生的等效相位调制与相移协同作用，可改善腔内光子密度分布，减弱纵向空间烧孔效应，降低对端面相位波动的敏感性，在宽温范围内实现高单模功率和大调制带宽，适用于高速光通信与粗波分复用传输系统。

本发明授权一种具有双层光栅结构的分布反馈式激光器在权利要求书中公布了：1.一种具有双层光栅结构的分布反馈式激光器，其特征在于，包括： 衬底； 有源区，设置于所述衬底之上； 上层光栅层，位于所述有源区的一侧；以及 下层光栅层，位于所述有源区的另一侧； 其中，所述上层光栅层为基于重构等效啁啾技术的取样光栅，其沿激光器谐振腔的轴向包含至少两段取样周期呈线性渐变的非对称调制区域；所述下层光栅层为相移光栅，其具有至少一个相移区，且所述下层光栅层的基础光栅周期与所述上层光栅层的种子光栅周期相匹配； 所述上层光栅层的所述非对称调制区域包括第一非对称周期渐变区域和第二非对称周期渐变区域； 所述第一非对称周期渐变区域位于靠近所述激光器的高反射端面一侧，其取样周期沿远离所述高反射端面至靠近所述高反射端面的方向呈线性增大趋势； 所述第二非对称周期渐变区域位于靠近所述激光器的抗反射端面一侧，其取样周期沿远离所述抗反射端面至靠近所述抗反射端面的方向呈线性减小趋势； 所述第一非对称周期渐变区域的中心位置与所述高反射端面的距离占所述谐振腔的总长度的第一比例为0.20至0.25，且其长度占所述谐振腔的总长度的第二比例为0.08至0.10；所述第二非对称周期渐变区域的中心位置与所述高反射端面的距离占所述谐振腔的总长度的第三比例为0.65至0.70，且其长度占所述谐振腔的总长度的第四比例为0.12至0.15； 在所述第一非对称周期渐变区域内，取样周期的取值范围为3微米至4微米；在所述第二非对称周期渐变区域内，取样周期的取值范围为4微米至4.1微米。

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