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龙图腾网获悉北京宽温微电子科技有限公司申请的专利SRAM读取良率评估与性能优化的方法、系统及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121212046B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511747110.9，技术领域涉及：G06F30/337；该发明授权SRAM读取良率评估与性能优化的方法、系统及芯片是由程平;邵祥清;尹浩坤;张佳乐;李嘉宁设计研发完成，并于2025-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本SRAM读取良率评估与性能优化的方法、系统及芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及SRAM技术领域，提供一种SRAM读取良率评估与性能优化的方法、系统及芯片，包括：基于多种电路特征参数的统计特征值确定失效概率模型，得到失效判别结果，其中，失效判别条件设置为读1时有效感应斜率与感应时间窗口的乘积小于失调电压，读0时上述乘积大于失调电压，有效感应斜率是由读取电流、漏电流和感应斜率标称值确定的；基于失效判别结果计算目标电路特征参数的当前统计特征值对应的当前读取良率；基于目标电路特征参数的量化统计特征值及对应的量化读取良率，确定目标电路特征参数与SRAM读取良率之间的量化关系，进而确定目标电路特征参数的优化值。以解决相关技术无法在设计SRAM时兼顾高良率和高性能的问题。

本发明授权SRAM读取良率评估与性能优化的方法、系统及芯片在权利要求书中公布了：1.一种SRAM读取良率评估与性能优化的方法，其特征在于，包括： 基于多种电路特征参数的统计特征值确定失效概率模型，得到失效判别结果，其中，所述统计特征值是基于静态随机存取存储器SRAM的器件参数进行仿真得到的；所述失效概率模型的失效判别条件设置为读1时，有效感应斜率与感应时间窗口的乘积小于灵敏放大器的失调电压，读0时，所述有效感应斜率与所述感应时间窗口的乘积大于所述失调电压；所述有效感应斜率的均值是根据读取电流的均值和漏电流的均值，以及感应斜率标称值确定的，所述有效感应斜率的方差是根据所述读取电流的均值和方差，以及所述感应斜率标称值确定的； 基于所述失效判别结果计算目标电路特征参数的当前统计特征值对应的当前读取良率，其中，所述统计特征值包括所述目标电路特征参数的当前统计特征值； 基于所述目标电路特征参数的量化统计特征值，以及所述量化统计特征值对应的量化读取良率，确定所述目标电路特征参数与所述静态随机存取存储器的读取良率之间的量化关系，其中，所述量化统计特征值是定量调整所述当前统计特征值得到的，基于所述量化统计特征值和所述失效概率模型得到新的失效判别结果，基于所述新的失效判别结果计算所述量化读取良率； 基于所述量化关系确定所述目标电路特征参数的优化值，用于优化所述静态随机存取存储器的性能。

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