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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种中高压大容量四电平变流器的高密度集成设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121211871B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511769204.6，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种中高压大容量四电平变流器的高密度集成设计方法是由潘建宇;付孝杰;丰昊;闫升;肖俊伟;唐海博;杨杰设计研发完成，并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种中高压大容量四电平变流器的高密度集成设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种中高压大容量四电平变流器的高密度集成设计方法，涉及电力电子和新能源领域，包括紧凑型模组布局，低杂感母排设计，分布式电容设计，小体积散热器，以及整个变流器高密度集成设计。通过所提设计方法，实现了四电平变流器内部空间优化利用，功率回路杂散电感抑制，以及散热效率优化，最终实现了高可靠高密度的四电平变流器。所提方法适用了基于高压SiC或者Si器件的中高压变换器，可应用于大功率电机驱动，储能新能源并网和交直流互联等领域。

本发明授权一种中高压大容量四电平变流器的高密度集成设计方法在权利要求书中公布了：1.一种中高压大容量四电平变流器的高密度集成设计方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：基于四电平变流器拓扑工作原理与损耗分布特点、电流换向距离的长短和散热，确定每相四个功率模块在散热基板上的对称排列方式； S2：设计不同的分段式层叠母排结构，连接功率模块、直流支撑电容及负载端，将母线电容侧连接母排与功率模块之间连接母排设计为层叠母排，并且通过仿真来优化导体层间距、宽度、形状及相对位置，利用负互感效应显著降低母排杂散电感； S3：基于母线电容电压波动确定选择电容值和额定电容器电压；采用多电容串并联构成低等效串联电感的薄膜电容阵列，电容布局采用交错式布局来降低寄生参数；并且采用印刷电路板的覆铜来连接所有电容，降低寄生参数； S4：基于优化的布局结构建立有限元热仿真模型，并基于实际损耗下的热仿真结果构建恰当的散热器结构，包括长宽高、散热片厚度、间隔以及散热方式，建立一种每相4个模组在单个散热器上的集中式散热器结构； S5：通过散热器在底部，器件在中间，驱动装置在上部的立体式结构，母线电容与飞跨电容阵列在两侧的对称式结构，母线电容与器件的连接和器件与器件之间的连接采用层叠母排结构，构建出单相的一体化功率单元，完成变流器单相整体设计。

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