买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121171982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511695815.0，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法是由朱海龙;罗承先设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法，先形成接触插塞的第一部分，接着去除牺牲层使接触插塞的第一部分凸出于第一电介质层，并在第三电介质层内形成接触插塞的第二部分，接触插塞的第一部分和接触插塞的第二部分电连接构成接触插塞。本发明意想不到的效果是，在不增加光罩的前提下，分别形成接触插塞的第一部分和接触插塞的第二部分，可得到结构及性能良好的接触插塞。以及通过去除牺牲层使接触插塞的第一部分凸出于第一电介质层，然后通过两段短接触插塞形成完整的长接触插塞，避免接触插塞过长造成接触孔填洞能力较差的问题，防止产生空洞，避免接触插塞与上层金属层之间的接触开路问题。

本发明授权接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种接触插塞的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上形成有MOS器件和位于所述MOS器件上的第一电介质层和牺牲层； 形成接触孔的第一部分，所述接触孔的第一部分依次贯穿所述牺牲层和第一电介质层并暴露出MOS器件的栅极、源极和漏极； 形成接触插塞的第一部分，所述接触插塞的第一部分填满所述接触孔的第一部分； 去除所述牺牲层，所述接触插塞的第一部分凸出于所述第一电介质层； 依次形成第二电介质层和第三电介质层，所述第二电介质层覆盖所述第一电介质层和接触插塞的第一部分，所述接触插塞的第一部分上方的第二电介质层高于所述第一电介质层上方的第二电介质层，所述第三电介质层覆盖所述第二电介质层； 执行化学机械研磨工艺去除部分所述第三电介质层，所述接触插塞的第一部分上方的第二电介质层与所述第三电介质层的顶表面齐平； 去除所述接触插塞的第一部分上方的第二电介质层，以在所述第三电介质层内形成接触孔的第二部分； 形成接触插塞的第二部分，所述接触插塞的第二部分位于所述接触孔的第二部分内，所述接触插塞的第一部分和接触插塞的第二部分电连接并构成接触插塞，所述接触插塞的第二部分和所述接触插塞的第一部分的宽度相同且所述接触插塞的第二部分和所述接触插塞的第一部分构成完整的一段接触插塞。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。