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龙图腾网获悉华芯程(杭州)科技有限公司申请的专利一种掩膜工艺校正方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121142894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511691202.X，技术领域涉及：G03F1/72；该发明授权一种掩膜工艺校正方法、装置、设备及存储介质是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种掩膜工艺校正方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种掩膜工艺校正方法、装置、设备及存储介质，通过接收目标掩膜图案及对应的设计厚度；将所述目标掩膜图案作为初始电子束曝光图案输入预训练的掩膜顶底面工艺校正模型；确定所述模拟电子束曝光图案中各个边缘段对应的掩膜层底部仿真图案尺寸及掩膜层顶部仿真图案尺寸，得到对应的侧壁夹角；根据所述掩膜层底部仿真图案尺寸，确定各个所述边缘段对应的尺寸‑夹角对照数据组，得到夹角偏移量；进一步确定目标尺寸偏移量；根据所述目标尺寸偏移量，调整所述掩膜层底部仿真图案中对应的边缘段的位置。经过本发明校正过的掩膜层进行光刻工艺得到的晶片图案与光刻目标图案之间的相似度大大提升。

本发明授权一种掩膜工艺校正方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种掩膜工艺校正方法，其特征在于，包括： 接收目标掩膜图案及对应的设计厚度； 将所述目标掩膜图案作为初始电子束曝光图案输入预训练的掩膜顶底面工艺校正模型，迭代得到模拟电子束曝光图案； 通过所述掩膜顶底面工艺校正模型，确定所述模拟电子束曝光图案中各个边缘段对应的掩膜层底部仿真图案尺寸及掩膜层顶部仿真图案尺寸； 根据所述掩膜层底部仿真图案尺寸、所述掩膜层顶部仿真图案尺寸及所述设计厚度，得到对应的侧壁夹角； 根据所述掩膜层底部仿真图案尺寸，确定各个所述边缘段对应的尺寸-夹角对照数据组；所述尺寸-夹角对照数据组包括唯一的基准图案尺寸与基准夹角，还记录了在所述掩膜层底部仿真图案尺寸为所述基准图案尺寸，所述侧壁夹角为所述基准夹角的基础上，单独调整所述掩膜层底部仿真图案尺寸与所述侧壁夹角引发的光学临近效应模拟中对应的光刻后晶片图案尺寸变化；所述边缘段的掩膜层底部仿真图案尺寸与对应的尺寸-夹角对照数据组的基准图案尺寸相同； 将各个所述边缘段的侧壁夹角与对应的基准夹角作差，得到夹角偏移量； 根据所述夹角偏移量，在对应的尺寸-夹角对照数据组中，确定目标尺寸偏移量；在所述掩膜层底部仿真图案尺寸为所述基准图案尺寸，所述侧壁夹角为所述基准夹角的边缘段中，将所述掩膜层底部仿真图案尺寸调整所述目标尺寸偏移量导致的光刻后晶片图案尺寸变化，能够补偿将所述基准夹角调整所述夹角偏移量导致的光刻后晶片图案尺寸变化； 根据所述目标尺寸偏移量，调整所述掩膜层底部仿真图案中对应的边缘段的位置，得到掩膜层底部仿真更新图案。

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