南开大学陈颖获国家专利权
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龙图腾网获悉南开大学申请的专利用于多级存储的光电忆阻器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099902B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511630619.5，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权用于多级存储的光电忆阻器件及其制备方法是由陈颖;姜琳楠;贺苏杭;贾传成;郭雪峰设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于多级存储的光电忆阻器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电器件技术领域，尤其涉及用于多级存储的光电忆阻器件及其制备方法。该光电忆阻器件包括超分子复合物和石墨烯电极对，超分子复合物连接于石墨烯电极对之间；在‑1V～1V的电压下，超分子复合物能够形成四个不同的电导态。超分子复合物包括以氨基为末端的客体分子A，具有紫外光响应基团的客体分子B以及具有大尺寸空腔结构的主体分子C。上述三种分子在范德华力和疏水相互作用下形成超分子复合物结构。本发明提供的光电忆阻器通过光电协同调控实现了稳定的四态存储，为高速度、高密度存储提供了可行的解决方案。本发明提供的制备方法，反应条件温和、工艺简单，有利于工业化、集成化生产。
本发明授权用于多级存储的光电忆阻器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.用于多级存储的光电忆阻器件，其特征在于，包括超分子复合物和石墨烯电极对，所述超分子复合物连接于所述石墨烯电极对之间； 其中，在扫描电压的作用下，所述超分子复合物能够响应电压变化形成不同的电导态； 所述超分子复合物包括客体分子A、客体分子B和主体分子C，所述超分子复合物的结构式如下所示： ； 其中，结构式中的为客体分子A，所述超分子复合物通过所述客体分子A与所述石墨烯电极对通过酰胺键连接； 结构式中的为客体分子B； 其中，R为紫外光响应基团，所述紫外光响应基团在紫外光的照射下能够发生构型变化； 结构式中的代表主体分子C，n选自7或8。
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