深圳大学翟永彪获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利基于两端垂直结构有机电化学仿生突触器件及其制备方法、仿生神经形态芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121057501B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511597672.X，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权基于两端垂直结构有机电化学仿生突触器件及其制备方法、仿生神经形态芯片是由翟永彪;罗颖;陈沛杰;吕子玉;韩素婷;周晔设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于两端垂直结构有机电化学仿生突触器件及其制备方法、仿生神经形态芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于两端垂直结构有机电化学仿生突触器件及其制备方法、仿生神经形态芯片，器件包括：依次堆叠的底电极、第一有机混合离子电子导体层、第一离子凝胶层及顶电极；所述第一离子凝胶层被配置提供阴离子；所述第一有机混合离子电子导体层被配置为传输阴离子和电子；所述顶电极被配置为施加偏压驱动阴离子迁移。在结构上，采用四层堆叠结构实现了离子路径革新，垂直通道使延迟时间锐减至微秒级；在器件机理上，利用有机离子电子混合导体的低还原电位与去掺杂载流子耗尽，在一定电压作用下出现电流自发反转，在单器件层面实现对人工突触敏化和习惯化的模拟。
本发明授权基于两端垂直结构有机电化学仿生突触器件及其制备方法、仿生神经形态芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于两端垂直结构有机电化学仿生突触器件，其特征在于，包括： 依次堆叠的底电极、第一有机混合离子电子导体层、第一离子凝胶层及顶电极； 其中，所述第一离子凝胶层被配置提供阴离子； 所述第一有机混合离子电子导体层被配置为传输阴离子和电子； 所述顶电极被配置为施加偏压驱动阴离子迁移； 所述第一有机混合离子电子导体层采用有机混合离子电子导体制成，所述有机混合离子电子导体选自Pg2T-TT、PgPyDPP-T2、PgTDPPT中的至少一种； 所述第一离子凝胶层采用离子液体和PVDF-HFP制成，所述离子液体选自[EMIM][TFSI]、BMIM:PF6、TBA-TFSI中的至少一种。
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