长春理工大学;山东华光光电子股份有限公司魏志鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学;山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种提高锑化物激光器欧姆接触性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121055148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511573386.X，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权一种提高锑化物激光器欧姆接触性能的方法是由魏志鹏;贾慧民;唐吉龙;杜军军;开北超;李沛旭设计研发完成，并于2025-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高锑化物激光器欧姆接触性能的方法在说明书摘要公布了：一种提高锑化物激光器欧姆接触性能的方法。涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种提高锑化物激光器欧姆接触性能的方法。本发明采用重掺杂，直接作为接触层，或在锑化物激光器外延结构中引入重掺杂作为电极接触层的一部分，降低接触电阻，最后，在激光器结构生长完成后，将外延片表面经过去氧化层处理后沉积金属电极薄膜。本发明采用重掺杂作为接触层，或者重掺杂生长在GaSb接触层上作为载流子隧穿层，实现欧姆接触性能可靠性和稳定性的提高。
本发明授权一种提高锑化物激光器欧姆接触性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高锑化物激光器欧姆接触性能的方法，其特征在于，所述方法包括： S1、在n型GaSb衬底1上，利用分子外延技术，依次外延生长n型掺杂GaSb缓冲层2、n型掺杂下限制层3、非掺杂下波导层4、有源区5、非掺杂上波导层6和p型掺杂上限制层7； S2、在p型掺杂上限制层7上，外延生长p型掺杂GaSb，作为接触层8，并在接触层8上外延生长p型重掺杂，作为超薄载流子隧穿层； 或在p型掺杂上限制层7上，外延生长p型重掺杂，作为接触层8； p型重掺杂中，的取值范围为：0.1~0.3，的取值范围为：0.22~0.3，In与Ga的组分比例范围为：0.6~0.8，的计算方式为，p型重掺杂的晶格数与GaSb匹配； S3、将步骤S2处理后的外延片结构，进行去氧化层处理，得到待沉淀金属电极外延片结构； S4、在待沉淀金属电极外延片结构的P面和N面，分别沉积金属电极，完成P面电极生长和N面电极生长； S5、P面电极和N面电极生长完成后，分别通过快速退火工艺，形成欧姆接触。
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