长春理工大学郝群获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利耦合填充元件缺陷的光诱导量子点原位生长方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121049225B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511555606.6，技术领域涉及：G01N21/64；该发明授权耦合填充元件缺陷的光诱导量子点原位生长方法与应用是由郝群;陈梦璐;石峰;胡摇;赵雪;陈飞;魏志鹏设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本耦合填充元件缺陷的光诱导量子点原位生长方法与应用在说明书摘要公布了：一种耦合填充元件缺陷的光诱导量子点原位生长方法与应用，涉及光学元件缺陷检测技术领域，解决了现有技术热诱导原位生长材料对光学元件的缺陷检测存在选择性差、分辨率低以及灵敏度低的问题。本发明通过将CsPbBr3量子点前驱体选择性填充于元件表面缺陷区域，并在特定光源照射下诱导其在缺陷位置原位生长，从而在缺陷部位产生显著的局域光热效应。本发明利用选择性生长机制有效弥补了传统热诱导方法在缺陷区域定位选择性不足的问题，能够对光学元件的微观缺陷实现高灵敏度、高选择性和高空间分辨率的定位检测，可应用于光学元件的缺陷定位，为缺陷可视化表征与高精度定位提供了新的技术途径。
本发明授权耦合填充元件缺陷的光诱导量子点原位生长方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种耦合填充元件缺陷的光诱导量子点原位生长方法，其特征在于，包括以下制备步骤： S1：将溴化铯N,N-二甲基甲酰胺溶液和聚甲基丙烯酸甲酯N,N-二甲基甲酰胺溶液混合，加热并搅拌，得到溴化铯聚甲基丙烯酸甲酯溶液；加入溴化铅N,N-二甲基甲酰胺溶液，加热并搅拌，得到CsPbBr3前驱体溶液；将CsPbBr3前驱体溶液预热保温； S2：将CsPbBr3前驱体溶液旋涂到预处理后的缺陷元件表面，得到CsPbBr3聚甲基丙烯酸甲酯湿膜；使用光源对CsPbBr3聚甲基丙烯酸甲酯湿膜进行辐照，完成直接耦合填充被测元件缺陷的光诱导量子点原位生长； 所述缺陷元件为碳化硅、单晶硅、蓝宝石或熔石英中的任一种； 所述辐照光源为中心波长为400~1050nm波段的半导体激光器或LED光源；所述光源功率为10~200mW，所述光源光斑聚焦直径为50~200μm。
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