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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种基于液相法生长碳化硅的热场优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121046933B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511596552.8，技术领域涉及：C30B15/14；该发明授权一种基于液相法生长碳化硅的热场优化方法是由李早阳;杨垚;祁冲冲;刘立军设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于液相法生长碳化硅的热场优化方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于液相法生长碳化硅的热场优化方法，基于第一加热参数对处于第f形态下的石墨坩埚进行加热，使与第f形态对应的第一性能参数满足第一预设条件；第一性能参数包括石墨坩埚和石墨坩埚中硅熔体的交界面的第一碳浓度梯度；第一预设条件包括第一碳浓度梯度小于预设碳浓度梯度；根据第一碳浓度梯度和界面位移量计算模型，获取在目标时长之后石墨坩埚的目标界面位移量；根据第f形态和目标界面位移量得到石墨坩埚的第f+1形态；基于第二加热参数对处于第f+1形态下的石墨坩埚进行加热，使与第f+1形态对应的第一性能参数满足第一预设条件，本申请可以实现对碳化硅的热场优化，避免石墨坩埚形变对碳化硅晶体生长影响。

本发明授权一种基于液相法生长碳化硅的热场优化方法在权利要求书中公布了：1.一种基于液相法生长碳化硅的热场优化方法，其特征在于，包括： 基于第一加热参数，对处于第形态下的石墨坩埚进行加热，使与所述第形态对应的第一性能参数满足第一预设条件；所述第一性能参数包括：所述石墨坩埚和所述石墨坩埚中硅熔体的交界面的第一碳浓度梯度；所述第一预设条件包括：所述第一碳浓度梯度小于预设碳浓度梯度；，为大于或等于2的整数； 获取在目标时长中的H个预设时刻；相邻预设时刻之间的时长等于预设时长步长；获取在第h个预设时刻，所述硅熔体的第二碳浓度梯度，以及所述第二碳浓度梯度与预设浓度梯度的比对结果；其中，在第1个预设时刻，所述硅熔体的第二碳浓度梯度等于所述第一碳浓度梯度；h∈[1，H]；将所述第二碳浓度梯度和所述预设时长步长，代入与所述比对结果对应的界面位移计算模型，得到所述石墨坩埚在第h+1个预设时刻的界面位移量；将所述石墨坩埚在第H个预设时刻的界面位移量，确定为在目标时长之后，所述石墨坩埚的目标界面位移量； 根据所述第形态和所述目标界面位移量，得到所述石墨坩埚的第形态； 获取第二加热参数，以基于所述第二加热参数，对处于第形态下的石墨坩埚进行加热，使与所述第形态对应的第一性能参数满足所述第一预设条件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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