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龙图腾网获悉长电微电子(江阴)有限公司申请的专利半导体封装结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120933238B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511455321.5，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权半导体封装结构的形成方法是由向丽;鲍漫;刘彬洁;张兴铎设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装结构的形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供半导体基底，包括相对的第一表面和第二表面，半导体基底中具有若干分立的通孔互连结构；平坦化半导体基底的第二表面，直至露出通孔互连结构的远离半导体基底第一表面的一端表面；在半导体基底的第一表面形成第一保护膜；将半导体基底垂直地置于刻蚀槽中，刻蚀溶液对第二表面的半导体基底材料进行刻蚀，去除部分厚度的半导体基底，露出部分高度的通孔互连结构；将半导体基底从刻蚀槽中移出；在半导体基底的第二表面形成钝化层，钝化层露出通孔互连结构的远离半导体基底第一表面的一端表面；在钝化层上形成与通孔互连结构电连接的焊盘。该方法避免“足状”缺陷的产生，降低短路风险。

本发明授权半导体封装结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底，所述半导体基底包括相对的第一表面和第二表面，所述半导体基底中具有若干分立的通孔互连结构； 采用化学机械研磨工艺平坦化所述半导体基底的第二表面，直至露出所述通孔互连结构的远离所述半导体基底第一表面的一端表面； 在所述半导体基底的第一表面形成第一保护膜； 形成所述第一保护膜后，将所述半导体基底垂直地置于刻蚀槽中，所述半导体基底的第一表面和第二表面垂直于所述刻蚀槽的底面，所述刻蚀槽中的刻蚀溶液没过半导体基底，刻蚀溶液对第二表面的半导体基底材料进行刻蚀，去除部分厚度的所述半导体基底，露出部分高度的所述通孔互连结构； 将所述半导体基底从刻蚀槽中移出； 在所述半导体基底的第二表面形成钝化层，所述钝化层包覆所述通孔互连结构的露出的侧面，并露出所述通孔互连结构的远离所述半导体基底第一表面的一端表面； 在所述钝化层上形成与所述通孔互连结构电连接的焊盘。

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