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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利正交电磁场旋转磁控溅射装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120924930B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511468964.3，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权正交电磁场旋转磁控溅射装置是由张陈斌;姜颖;葛青涛;欧阳军晨;宋永辉;王世宽设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本正交电磁场旋转磁控溅射装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种正交电磁场旋转磁控溅射装置，包括工作腔、靶材、第一磁组和第二磁组，第一磁组和第二磁组均包括多个永磁体，第一磁组和第二磁组关于工作腔的中心相对设置、且二者的永磁体磁极相反，使磁力线在靶材下方耦合形成平行于靶材表面的正交磁场，正交磁场能更有效地对电子施加洛伦兹力、延长电子的运动路径，从而解决电子易快速轰击基片或流失导致的反应气体电离率低的问题，以便提高电离效率；还包括第一旋转驱动机构，用于驱使两磁组绕工作腔中心旋转，从而通过时间平均化效应消除磁场周向的分布差异，解决固定磁组导致的靶材溅射不均、薄膜厚度偏差大的问题，提升靶材利用率和薄膜沉积均匀性。

本发明授权正交电磁场旋转磁控溅射装置在权利要求书中公布了：1.一种正交电磁场旋转磁控溅射装置，包括工作腔1和设于所述工作腔1内的靶材2，其特征在于，还包括： 第一磁组10，设于所述工作腔1一侧，所述第一磁组10包括多个永磁体，多个所述永磁体沿所述工作腔1的周向间隔分布； 第二磁组20，设于所述工作腔1另一侧，所述第二磁组20亦包括多个永磁体，多个所述永磁体亦沿所述工作腔1的周向间隔分布，所述第一磁组10和所述第二磁组20关于所述工作腔1的中心相对设置，所述第一磁组10中的永磁体与所述第一磁组10中的永磁体磁极相反； 第一旋转驱动机构，用于驱使所述第一磁组10和所述第二磁组20绕所述工作腔1的中心旋转； 其中，所述第一磁组10和所述第二磁组20的磁力线在所述靶材2下方耦合、形成平行于所述靶材2表面的正交磁场，所述正交磁场能够使磁控溅射过程中的电子更有效地受到洛伦兹力的作用，从而延长所述电子的运动路径并提高反应气体的电离率； 所述正交电磁场旋转磁控溅射装置还包括通电导体3，所述通电导体3平行设置于所述靶材2表面、并正对所述靶材2的中心区域； 所述通电导体3用于产生一个附加磁场以增强所述正交磁场的弱区。

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