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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120914161B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511429564.1，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权一种半导体结构的制作方法是由李靓玉;谢秋姣;巨妍;汪妍设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域，制作方法包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化层；蚀刻部分所述垫氧化层、所述垫氮化层和所述衬底，形成浅沟槽，在所述垫氧化层和所述垫氮化层之间形成凹陷区；去除所述垫氮化层；进行第一沉积工艺，在所述凹陷区上形成第一隔离介质；进行第二沉积工艺，在所述浅沟槽、所述第一隔离介质和所述垫氧化层上形成第二隔离介质；平坦化所述第二隔离介质；去除所述垫氧化层以及所述垫氧化层上的所述第二隔离介质。通过本发明提供的半导体结构的制作方法，能够避免在浅沟槽隔离结构的角边缘出现凹陷现象，提高半导体结构的性能。

本发明授权一种半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤： 提供一衬底，在所述衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化层； 蚀刻部分所述垫氧化层、所述垫氮化层和所述衬底，形成浅沟槽，在刻蚀形成所述浅沟槽时，所述垫氧化层的刻蚀速度大于所述垫氮化层的刻蚀速度，在所述垫氧化层和所述垫氮化层之间形成凹陷区； 去除所述垫氮化层，暴露出所述凹陷区； 进行第一沉积工艺，在所述凹陷区上形成第一隔离介质； 进行第二沉积工艺，在所述浅沟槽、所述第一隔离介质和所述垫氧化层上形成第二隔离介质； 平坦化所述第二隔离介质； 去除所述垫氧化层以及所述垫氧化层上的所述第二隔离介质； 所述第一沉积工艺包括： 将去除所述垫氮化层的所述衬底放入沉积设备，在预设压力和预设温度下通入反应气体； 控制所述沉积设备的第一偏压电压和第一偏压功率，沉积方向与衬底法线呈预设角度，在所述凹陷区上形成所述第一隔离介质，所述第一隔离介质的表面高于所述垫氧化层的表面；所述第一偏压电压为800V~1000V，所述第一偏压功率为1000W~2500W；所述预设角度为50°~70°； 所述第二沉积工艺包括： 在完成所述第一沉积工艺后，控制所述沉积设备的第二偏压电压和第二偏压功率，沉积方向垂直所述衬底，在所述浅沟槽、所述第一隔离介质和所述垫氧化层上形成所述第二隔离介质。

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