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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利桥连封装方法和封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120914109B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511438886.2，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权桥连封装方法和封装结构是由钟磊;徐玉鹏;简志宏;何正鸿设计研发完成，并于2025-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本桥连封装方法和封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供的一种桥连封装方法和封装结构，该方法包括提供设有第一导电柱的衬底；第一导电柱的一端与衬底的第一表面齐平，另一端埋设于衬底内。在衬底的第一表面一侧形成第一安装槽，在第一安装槽内贴装第一芯片。第一芯片包括主体部和连接于主体部的凸缘层，凸缘层的边缘超出主体部的边缘。凸缘层超出主体部的部分搭接于第一表面。在第二表面一侧形成与第一导电柱电连接的第一布线层，在第二导电柱上形成第三导电柱；在第一表面一侧形成与第一导电柱、第三导电柱电连接的第二布线层。第一芯片分别与第一布线层和第二布线层电连接。通过带凸缘层的第一芯片，可有效改善封装制程中的翘曲变形，提升封装质量。

本发明授权桥连封装方法和封装结构在权利要求书中公布了：1.一种桥连封装方法，其特征在于，包括： 提供衬底；其中所述衬底内设有第一导电柱；所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；所述第一导电柱的一端与所述第一表面齐平，另一端埋设于所述衬底内； 在所述衬底的第一表面一侧形成第一安装槽； 在所述第一安装槽内贴装第一芯片；其中，所述第一芯片包括主体部和连接于所述主体部一端的凸缘层，所述凸缘层的边缘超出所述主体部的边缘；所述主体部位于所述第一安装槽，所述凸缘层超出所述主体部的部分搭接于所述第一表面；所述凸缘层朝向所述第一表面的一侧设有挡胶部；所述第一芯片内设有第二导电柱；在所述第一安装槽内贴装第一芯片的步骤包括：在所述第一安装槽内填充半固化的第一胶体；在所述第一安装槽内贴装第一芯片；其中，所述第一芯片压覆所述第一胶体，以使所述第一胶体部分溢出至所述第一表面；所述凸缘层利用溢出的所述第一胶体固定至所述第一表面；所述挡胶部用于阻止溢出的所述第一胶体朝所述凸缘层以外的区域扩散或溢流至所述凸缘层远离所述第一表面的一侧表面；所述主体部和所述第一安装槽的槽壁之间填充满所述第一胶体； 研磨所述第二表面，直至露出所述第一导电柱靠近所述第二表面的一端端面； 在所述第二表面一侧形成与所述第一导电柱电连接的第一布线层； 在所述第一芯片远离所述第二表面的一侧开设第一窗口露出所述第二导电柱； 在所述第一窗口填充金属形成第三导电柱； 在所述第一表面一侧形成第二布线层；第二布线层分别与所述第一导电柱和所述第三导电柱电连接； 所述第一芯片分别与所述第一布线层和所述第二布线层电连接。

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