浙江耐思威智能制造有限公司孔剑雷获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江耐思威智能制造有限公司申请的专利一种超低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120817785B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510838493.4，技术领域涉及：C04B35/01；该发明授权一种超低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法是由孔剑雷;葛迪云;吕群锋;施鲁鸣设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电子信息功能陶瓷及电子器件领域，公开了一种超低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法，该超低介电常数微波介质陶瓷的组成表达式为：xMg2SiO4‑1‑xLiAl0.925B0.075O2+ywt.%MO，MO为烧结助剂，其中：0.2≤x≤0.4,0.5≤y≤1，所述超低介电常数微波介质陶瓷的烧结温度为1000~1100℃，本发明制备的微波介质陶瓷的介电常数可达到4.9~5.8，Q×f值可达到51539~60754GHz，频率温度系数τf可达到‑16.2~‑11.3ppm℃，可实现在较低的烧结温度下制备超低介电常数微波介质陶瓷，同时Q×f值高，可获得较好的微波介电性能，且谐振频率温度系数低，温度稳定性好。
本发明授权一种超低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超低介电常数微波介质陶瓷，其特征在于，所述超低介电常数微波介质陶瓷的组成表达式为：xMg2SiO4-1-xLiAl0.925B0.075O2+ywt.%MO，MO为烧结助剂，其中：0.2≤x≤0.4,0.5≤y≤1，所述超低介电常数微波介质陶瓷的烧结温度为1000~1100℃。
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