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湖南太阳电瓷有限公司杨峰获国家专利权

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龙图腾网获悉湖南太阳电瓷有限公司申请的专利一种具有复合过渡层的电瓷釉面结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120622960B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510741775.2,技术领域涉及:C04B41/89;该发明授权一种具有复合过渡层的电瓷釉面结构及其制备方法是由杨峰;杨立新;彭锐;喻超锐设计研发完成,并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

一种具有复合过渡层的电瓷釉面结构及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种具有复合过渡层的电瓷釉面结构及其制备方法,所述电瓷釉面结构自坯体向外依次包括底层釉、过渡层和面层釉;所述过渡层包括基体浆料和增强剂,所述基体浆料包括质量百分比为的以及质量百分比为的硅溶胶;所述增强剂包括质量百分比为的纳米,质量百分比为的以及质量百分比为的纳米;所述含量在过渡层中沿底层釉向面层釉的方向均匀递增,使过渡层形成连续变化的CTE梯度;所述纳米含量在过渡层中沿底层釉向面层釉的方向均匀递减,避免过量的纳米与面层釉成分反应;所述含量在过渡层中沿底层釉向面层釉的方向均匀递增,以匹配面层釉高温度需求;所述纳米含量在过渡层中沿底层釉向面层釉的方向均匀递增,以应对面层釉的高热应力。

本发明授权一种具有复合过渡层的电瓷釉面结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种具有复合过渡层的电瓷釉面结构,其特征在于, 自坯体向外依次包括底层釉、过渡层和面层釉; 所述过渡层包括: 基体浆料,包括质量百分比为的以及质量百分比为的硅溶胶; 增强剂,包括质量百分比为的纳米,质量百分比为的稀土氧化物以及质量百分比为的纳米; 所述通过稳定剂掺杂,所述含量在过渡层中沿底层釉向面层釉的方向均匀递增,自均匀递增至,使过渡层形成连续变化的热膨胀系数梯度; 所述纳米含量在过渡层中沿底层釉向面层釉的方向均匀递减,自均匀递减至,避免过量的纳米与面层釉中的成分发生反应; 所述稀土氧化物含量在过渡层中沿底层釉向面层釉的方向均匀递增,自均匀递增至,以匹配面层釉侧更高的温度需求; 所述纳米含量在过渡层中沿底层釉向面层釉的方向均匀递增,自均匀递增至,以应对面层釉侧更高的热应力; 其中,所述底层釉采用如下质量百分比的成分配方,的,的,的和的; 所述面层釉采用如下质量百分比的成分配方,的,的,的,的以及的功能添加剂。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人湖南太阳电瓷有限公司,其通讯地址为:412299 湖南省株洲市醴陵市经济开发区渌江新城长庆工业区内;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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