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龙图腾网获悉安徽禾臣新材料有限公司申请的专利一种掩膜基板中缺陷胶膜层的去胶方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120610435B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511037164.6，技术领域涉及：G03F1/72；该发明授权一种掩膜基板中缺陷胶膜层的去胶方法是由李加海;高伟东;曹荣府设计研发完成，并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种掩膜基板中缺陷胶膜层的去胶方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种掩膜基板中缺陷胶膜层的去胶方法，涉及掩膜基板技术领域，为了解决对掩膜基板中缺陷区域的胶膜去除效果不佳的问题。本发明通过全域扫描、三维数据采集、微观形态记录及坐标关联，实现缺陷类型、尺寸、位置及三维形态的全方位捕捉，针对不同缺陷特征匹配激光、等离子等设备，调整核心参数与环境参数，结合实时监控确保去胶过程稳定，既保证了缺陷彻底去除，又减少了对正常胶膜及基板的损伤，去胶后经多步骤清洁去除残留杂质，再通过全域扫描、三维轮廓检测验证去胶效果，结合二次处理机制保证不合格区域得到修正。

本发明授权一种掩膜基板中缺陷胶膜层的去胶方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜基板中缺陷胶膜层的去胶方法，其特征在于，包括： 对每个缺陷检测设备进行准备，并将准备完成的缺陷检测设备进行功能检测；利用缺陷检测设备对掩膜基板进行缺陷检测；根据掩膜基板的缺陷检测结果，对掩膜基板的缺陷位置进行精准定位信息整理；根据掩膜基板的缺陷情况对去胶区域和去胶顺序进行设置；根据缺陷检测结果和定位的缺陷位置，对去胶设备的参数进行设置；参数设置完成的去胶设备根据去胶区域和去胶顺序对掩膜基板进行去胶执行，并实时监控去胶过程中的参数数据；掩膜基板去胶后进行清洁处理；对清洁处理后的掩膜基板进行去胶效果检测，并根据去胶效果检测结果判断是否进行二次去胶操作；最终对整体工艺参数及检测结果进行整理，并传输至显示终端进行反馈； 根据掩膜基板的缺陷情况对去胶区域和去胶顺序进行设置，包括： 根据掩膜基板的缺陷情况进行结构化数据分类，包括缺陷类型、尺寸等级、位置属性和分布特征； 结构化数据分类后对掩膜基板上的去胶区域进行确认，其中，去胶区域包括单个缺陷去胶区域和缺陷群合并区域； 单个缺陷去胶区域为:以三维坐标为中心，根据缺陷最大尺寸确定基础去胶范围，若基础去胶范围靠近基板边缘1mm内，则将去胶区域边界收缩至掩膜基板有效区内； 缺陷群合并区域为：对三维坐标进行欧氏距离计算，计算后对距离≤200μm的相邻缺陷，判定为缺陷群，同时，以缺陷群中最边缘的两个缺陷为基准，向外扩展100μm形成矩形或圆形合并区域； 再对去胶顺序进行规划，其中，将掩膜基板划分为多个矩形子区域，对多个矩形子区域根据缺陷密度划分，包括高密区、中密区和低密区；再对划分的子区域进行排序，包括区域排序和缺陷类型排序，区域排序为对划分的子区域从左到右、从上到下的顺序处理，或者根据缺陷密度对划分的子区域进行高密区优先中密区和低密区，中密区优先低密区的方式处理；缺陷类型排序为先处理表层缺陷，再处理中层和底层缺陷，并且结构破坏型缺陷优先于形态缺陷； 最终完成掩膜基板中针对每个缺陷的去胶区域和去胶顺序的设置。

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