深圳一睿科技有限公司张攀获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳一睿科技有限公司申请的专利智能半导体芯片及其热管理方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120562289B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510691393.3,技术领域涉及:G06F30/27;该发明授权智能半导体芯片及其热管理方法是由张攀设计研发完成,并于2025-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本智能半导体芯片及其热管理方法在说明书摘要公布了:本申请提供了一种智能半导体芯片及其热管理方法,从高功耗模块中三维堆叠芯片在当前工况下的各个阻挡层温度信息中提取各个半导体芯片中层间温度的梯度特征,通过各个梯度特征和封装层的散热特征构建高功耗模块在当前工况中的温度耦合场;基于温度耦合场和指定采样频率定位高功耗模块在当前工况中多个热通量集中区,通过各个热通量集中区的结温信息中的峰值特征从所有的热通量集中区中筛选出高功耗模块中的热失控风险点;确定各个热失控风险点中热流密度的矢量分布特征,通过各个热失控风险点中热流密度的矢量分布特征对高功耗模块中三维堆叠芯片进行分层散热。基于上述方案可实现三维堆叠芯片中动态热管理的热场重构。
本发明授权智能半导体芯片及其热管理方法在权利要求书中公布了:1.一种智能半导体芯片的热管理方法,其特征在于,包括如下步骤: 在高功耗模块中三维堆叠芯片的关键层嵌入垂直对齐的温度传感器,进而使用各个温度传感器按照指定采样频率采集高功耗模块的封装层温度信息和各个半导体芯片的阻挡层温度信息; 从各个阻挡层温度信息中提取各个半导体芯片中层间温度的梯度特征,进而通过各个半导体芯片中层间温度的梯度特征和所述封装层温度信息中的散热特征构建高功耗模块在当前工况中的温度耦合场,基于所述温度耦合场和所述指定采样频率定位高功耗模块在当前工况中多个热通量集中区; 采集各个热通量集中区的结温信息,通过各个结温信息中的峰值特征从所有的热通量集中区中筛选出高功耗模块中的热失控风险点; 确定各个热失控风险点中热流密度的矢量分布特征,进而通过各个热失控风险点中热流密度的矢量分布特征对高功耗模块中三维堆叠芯片进行分层散热; 其中,从各个阻挡层温度信息中提取各个半导体芯片中层间温度的梯度特征具体包括: 对于各个半导体芯片,从半导体芯片的阻挡层温度信息中获取半导体芯片与相邻半导体芯片之间的层间温度; 获取半导体芯片与相邻半导体芯片之间的垂直距离; 根据所述层间温度和所述垂直距离确定半导体芯片中层间温度的梯度特征,进而得到各个半导体芯片中层间温度的梯度特征; 其中,通过各个半导体芯片中层间温度的梯度特征和所述封装层温度信息中的散热特征构建高功耗模块在当前工况中的温度耦合场具体包括: 从所述封装层温度信息中提取高功耗模块在当前工况中的散热特征; 确定各个半导体芯片中层间温度的梯度特征与所述散热特征之间的特征差异; 根据所有的特征差异建立高功耗模块在当前工况中的三维热传导方程; 对所述三维热传导方程进行离散求解,输出高功耗模块在当前工况中的温度耦合场。
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