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龙图腾网获悉无锡昌德微电子股份有限公司申请的专利一种超大电流平面IGBT芯片的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120473395B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510648411.X，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权一种超大电流平面IGBT芯片的封装方法是由黄昌民;赵秋森;黄富强设计研发完成，并于2025-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超大电流平面IGBT芯片的封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种超大电流平面IGBT芯片的封装方法。其技术方案以下步骤：步骤1，提供一种热膨胀系数接近硅材料的高热导率铜钼合金基板；步骤2，将IGBT芯片通过压焊工艺中的银烧结技术键合至所述基板的上表面；步骤3，采用多点均压布线结构实现多个芯片的电流并联分布，其中每一芯片路径都进行热阻与电阻耦合设计；步骤4，封装过程中引入基于位置相关变系数的热阻调节方法；步骤5，通过等离子体处理对芯片表面进行钝化处理，并使用低应力模塑封装材料完成结构固化。本发明通过铜钼梯度基板与均流封装结构的协同设计，实现了热应力缓释、电流均衡及界面可靠性的提升，增强超大电流IGBT芯片的封装性能与使用寿命。

本发明授权一种超大电流平面IGBT芯片的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种超大电流平面IGBT芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，提供一种热膨胀系数接近硅材料的高热导率铜钼合金基板； 步骤2，将IGBT芯片通过压焊工艺中的银烧结技术键合至所述基板的上表面，以实现高热性能和高机械强度的芯片固定； 步骤3，采用多点均压布线结构实现多个芯片的电流并联分布，其中每一芯片路径都进行热阻与电阻耦合设计，从而满足封装结构中各电流路径电流分配均衡，避免电流集中导致的单点热失效； 步骤4，封装过程中引入基于位置相关变系数的热阻调节方法，用于控制热流在芯片内部或模块不同位置的扩散均匀性，从而增强整体散热性能； 步骤5，通过等离子体处理对芯片表面进行钝化处理，并使用低应力模塑封装材料完成结构固化，提升芯片在高温、高电流密度条件下的长期可靠性与抗击穿能力； 所述铜钼合金基板采用多层梯度结构设计，其中铜层与钼层的排列比例沿厚度方向呈非线性分布，以使基板整体的热膨胀系数在靠近芯片一侧与硅材料更精确匹配，从而减小芯片与基板之间的热应力耦合，其中，该非线性分布关系为：在靠近芯片界面处，铜层占比最小，随距离芯片表面增加，铜层比例逐层升高，具体变化趋势满足一种沿厚度方向变化的幂函数模型，用以优化热应力梯度分布和提升热冲击寿命。

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