中国科学院微电子研究所曹璐获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利抗单粒子辐照效应的SiC UMOSFET超结四端子器件和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111922B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510210682.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权抗单粒子辐照效应的SiC UMOSFET超结四端子器件和制备方法是由曹璐;刘新宇;汤益丹;柳文龙;王鑫华;白云;李轩;田晓丽;郝继龙设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗单粒子辐照效应的SiC UMOSFET超结四端子器件和制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种抗单粒子辐照效应的SiCUMOSFET超结四端子器件和制备方法，可以应用于半导体器件技术领域。该器件包括：衬底；漏极，在衬底下表面；N型外延层，在衬底上表面；P柱，在N型外延层内部，P柱沿垂直方向的厚度不超过N型外延层沿垂直方向的厚度；P基区，在靠近N型外延层上表面和P柱上表面的一侧；源区，在靠近P基区上表面的一侧；栅极沟槽，在靠近N型外延层上表面的一侧；P+注入区，在栅极沟槽底部的下方；N+注入区，在P+注入区内部；控制极，在N+注入区内部形成的控制极沟槽；栅极介质层，在栅极沟槽的侧壁；栅极，在栅极介质层上表面；层间介质，在栅极的上表面；源极，在层间介质和部分源区上表面。
本发明授权抗单粒子辐照效应的SiC UMOSFET超结四端子器件和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子辐照效应的SiCUMOSFET超结四端子器件，其特征在于，包括： 衬底； 漏极，设置在所述衬底的下表面； N型外延层，设置在所述衬底的上表面； P柱，设置在所述N型外延层的内部，其中，所述P柱沿垂直方向的厚度不超过所述N型外延层沿垂直方向的厚度； P基区，设置在靠近所述N型外延层上表面和P柱上表面的一侧； 源区，设置在靠近所述P基区上表面的一侧； 栅极沟槽，设置在靠近所述N型外延层上表面的一侧； P+注入区，设置在所述栅极沟槽底部的下方； N+注入区，设置在所述P+注入区内部； 控制极，设置在所述N+注入区内部形成的控制极沟槽，所述控制极用于调整栅极沟槽的底部电势； 栅极介质层，设置在所述栅极沟槽的侧壁； 栅极，设置在所述栅极介质层的上表面； 层间介质，设置在所述栅极的上表面； 源极，设置在所述层间介质和部分所述源区的上表面。
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