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龙图腾网获悉珠海深创科技有限公司申请的专利一种电路板薄锡蚀刻液及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119980240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510166879.5，技术领域涉及：C23F1/30；该发明授权一种电路板薄锡蚀刻液及其制备方法是由刘长斌;邓秘密;蔡路林;黄章成;刘云晗设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电路板薄锡蚀刻液及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及蚀刻液领域，尤其涉及一种电路板薄锡蚀刻液及其制备方法。电路板薄锡蚀刻液，包括主剂和辅剂；主剂原料为：无机酸4～6％，有机酸15～20％，氧化剂5～8％，络合剂1～3％，助剂2～3.5％，保护剂2.5～4％，护铜剂0.5～1％，稳定剂0.5～1.5％，羧基化合物3～5％，去离子水补充余量。辅剂原料为：无机酸6～8％，有机酸10～14％，氧化剂2～4％，羧基化合物1～3％，去离子水补充余量。本申请制得的电路板薄锡蚀刻液不仅具有优异的蚀刻精度，良好的蚀刻效果，避免了倒角、拖尾、溶锡和锡面氧化现象的出现，且具有极高的负载量和自身稳定性，满足了现有电路板制造领域对于现有薄锡蚀刻液的性能需求。

本发明授权一种电路板薄锡蚀刻液及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电路板薄锡蚀刻液，其特征在于：包括主剂和辅剂；所述主剂，以质量百分比计，原料为：无机酸4～6％，有机酸15～20％，氧化剂5～8％，络合剂1～3％，助剂2～3.5％，保护剂2.5～4％，护铜剂0.5～1％，稳定剂0.5～1.5％，羧基化合物3～5％，去离子水补充余量； 所述辅剂，以质量百分比计，原料为：无机酸6～8％，有机酸10～14％，氧化剂2～4％，羧基化合物1～3％，去离子水补充余量； 所述主剂和辅剂的用量关系为：蚀刻时以主剂进行蚀刻，随着蚀刻进行负载锡离子的浓度每升高200ppm便补充加入0.2～0.25％主剂质量百分比的辅剂； 所述无机酸为硝酸、硫酸、盐酸、磷酸和氢氟酸中的至少一种； 所述有机酸为草酸； 所述助剂为异构C12～C13脂肪醇聚氧乙烯醚，苯乙基酚聚氧乙烯醚和嵌段聚醚的组合物； 所述异构C12～C13脂肪醇聚氧乙烯醚，苯乙基酚聚氧乙烯醚和嵌段聚醚的质量比为3～4：1.2～1.6：0.2～0.3； 所述稳定剂为聚乙烯吡咯烷酮和聚环氧乙烷的组合物； 所述聚乙烯吡咯烷酮和聚环氧乙烷的质量比为3～3.5：0.6～1； 所述羧基化合物为丙二酸，己二酸和柠檬酸的组合物； 所述丙二酸，己二酸和柠檬酸的质量比为5～6：2～3：4～4.5。

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