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龙图腾网获悉湖北兴福电子材料股份有限公司申请的专利一种适用于微电子器件从硅锗/硅叠层中相对于硅选择性去除硅锗的组合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119979170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411842530.0，技术领域涉及：C09K13/08；该发明授权一种适用于微电子器件从硅锗/硅叠层中相对于硅选择性去除硅锗的组合物是由臧洋;贺兆波;尹印;叶瑞;余迪;万杨阳;马瑞;杨陈宗;杨俊伟;余建平;路明设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于微电子器件从硅锗/硅叠层中相对于硅选择性去除硅锗的组合物在说明书摘要公布了：本发明涉及一种适用于微电子器件从硅锗硅叠层中相对于硅选择性去除硅锗的组合物及应用。所述组合物包括按照质量分数计的以下组分：聚亚烷基亚胺0.0001‑10wt％；氟化物0.001‑10wt％；氧化剂0.1‑70wt%；缓冲组合物0.01‑50wt%；硅抑制剂0.00001‑1wt％；硅锗蚀刻稳定剂0.0001‑1wt％；消泡剂0.0001‑20wt％；余量为水。本发明组合物可用于在制造微电子器件的过程中从其上具有硅和硅锗叠层的微电子器件相对于硅而选择性地去除硅锗。

本发明授权一种适用于微电子器件从硅锗/硅叠层中相对于硅选择性去除硅锗的组合物在权利要求书中公布了：1.一种适用于微电子器件从硅锗硅叠层中相对于硅选择性去除硅锗的组合物，其特征在于，所述组合物包括按照质量分数计的以下组分： 聚亚烷基亚胺0.0001-10wt％； 氟化物0.001-10wt％； 氧化剂0.1-70wt%； 缓冲组合物0.01-50wt%； 硅抑制剂0.00001-1wt％； 硅锗蚀刻稳定剂0.0001-1wt％； 消泡剂0.0001-20wt％； 余量为水； 聚亚烷基亚胺是聚乙烯亚胺； 氟化物选自氢氟酸、氟化铵、氟化氢铵、氟硼酸、四甲基氟化铵、四乙基氟化铵、四丙基氟化铵以及氟硅酸盐中的至少一种；所述氧化剂为过氧化氢； 所述缓冲组合物为含胺化合物和多官能有机酸； 组合物的pH值在1-7； 硅抑制剂选自具有下式的脂肪醇聚氧乙烯醚：ROCH2CH2OnH， 其中R代表烃基，它是饱和的或不饱和的C12~C18的烃基；烃基为直链烃基或带支链的烃基； n是环氧乙烷的加成数； 硅锗蚀刻稳定剂为聚丙稀酸、聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮及其组合； 消泡剂选自脂肪醇类、脂肪酸及脂肪酸酯类、酰胺类中一种或多种非硅型消泡剂。

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