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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种相控阵天线典型热载荷下的结构变形校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119918205B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411902786.6，技术领域涉及：G06F30/17；该发明授权一种相控阵天线典型热载荷下的结构变形校准方法是由郭晓岗;潘洋;范占春;杜海龙;于华斌;王天潇设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种相控阵天线典型热载荷下的结构变形校准方法在说明书摘要公布了：一种相控阵天线典型热载荷下的结构变形校准方法，属于星载相控阵天线机电热一体化轻量化领域。根据实际温度工况和天线层合结构，确定力学边界条件、温度边界条件、几何尺寸、力学参数与热学参数；根据温度边界条件、几何尺寸与热学参数，确定天线层合结构沿厚度方向的温度场函数；通过功的互等定理，得天线层合结构的待定挠曲面函数；将单位集中载荷下天线层合结构的挠度作为基本解，代入待定挠曲面函数，结合力学边界条件求解待定系数，得到天线层合结构挠曲面函数；根据挠曲面函数调整结构的力学参数，直至实现相控阵天线典型热载荷下的结构变形校准。本发明能够在预定精度范围内对结构变形进行快速预测，具有校准精度高、效率高的优点。

本发明授权一种相控阵天线典型热载荷下的结构变形校准方法在权利要求书中公布了：1.一种相控阵天线典型热载荷下的结构变形校准方法，其特征在于：包括如下步骤， 步骤一、根据实际温度工况和天线层合结构，确定力学边界条件、温度边界条件、几何尺寸、力学参数与热学参数； 步骤二、根据温度边界条件、几何尺寸与热学参数，确定天线层合结构沿厚度方向的温度场函数； 步骤二的具体实现方法包括如下步骤， 步骤2.1、在典型热载荷下，天线层合结构每一层的温度场均满足一维稳态导热微分方程，方程表达式为： 1 式中：Tkz,Tk1,Tk2表示第k层的待定温度场函数分段，z为沿厚度方向坐标，Tk1和Tk2分别代表第k层的上表面温度和下表面温度，为未知量，由一维稳态导热微分方程推导得到第k层的待定温度场函数分段，表达式为： 2 式中：Ck1和Ck2为系数，zk1为第k层上表面z坐标，zk2为第k层下表面z坐标； 步骤2.2、由傅里叶定律，将第k层的待定温度场函数分段Tkz,Tk1,Tk2代入求得第k层热流密度qkz,Tk1,Tk2； 3 步骤2.3、由牛顿冷却定律求得对流换热热流密度qf，表达式为： 4 步骤2.4、在稳态热传递状态下，当热源层在第r层，由于内热源强度qvk为零时，热流密度为常值函数，取值与z无关，所以热流密度应写为qkTk1,Tk2，而热源层内热源强度qvk不为零，热流密度的值随z发生变化，所以热流密度仍写为qkz,Tk1,Tk2； 由热力学第一定律，选定热源层某一侧的边界，当边界在zr1位置处，该边界以外的连续区域内热流密度qkTk1,Tk2处处相等且等于热源层zr1位置处的热流密度qrzr1,Tr1,Tr2，热源层的另一侧边界同理，而在有对流换热边界条件时，热流密度qkTk1,Tk2与对流换热热流密度qf也相等，进而列出线性方程组求解第k层上表面的温度Tk1和下表面的温度Tk2： 5 式中：q1T11,T12为第1层的热流密度，q2T21,T22为第2层的热流密度，qr+1Tr+11,Tr+12为第r+1层的热流密度，qlTl1,Tl2为第l层的热流密度，qrzr1,Tr1,Tr2为热源层上表面的热流密度，qrzr2,Tr1,Tr2为热源层下表面的热流密度； 步骤2.5、将求得的上表面温度Tk1和下表面温度Tk2代入式2即得到天线层合结构第k层的温度场函数分段Tkz： 6 式中：除了自变量z以外的所有参数均为已知量，将天线层合结构各层的温度场函数分段Tkz汇总，即得到天线层合结构沿厚度方向的温度场函数Tz： 7 步骤三、通过功的互等定理，得到天线层合结构的待定挠曲面函数； 步骤四、将单位集中载荷下天线层合结构的挠度作为基本解，代入步骤三的待定挠曲面函数，结合步骤一的力学边界条件求解待定系数，得到天线层合结构挠曲面函数； 步骤五、通过步骤四得到的挠曲面函数判断结构变形程度是否满足预设要求，若满足则输出结果，实现结构变形校准；若不满足则修改结构的力学参数，并返回步骤二。

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