北京大学周子瑄获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利芯片结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894087B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510072327.8，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权芯片结构及其制备方法是由周子瑄;曹锐;王林秋;王雨萌;陈荣梅设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种芯片结构及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供一衬底，衬底包括第一衬底、指示层及第二衬底；在衬底内形成多个导电柱，各导电柱贯穿第一衬底和指示层；在第一衬底上形成导电轨层，导电轨层包括多个导电轨，各导电轨与至少两个导电柱连接；在导电轨层上形成连接层和器件层，连接层包括设于导电轨层上且具有多个连接口的介质部及设于连接口内并与导电轨连接的导电部，器件层设于连接层上，器件层包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管的成型温度不大于预设温度；在器件层上形成第一互联层；在第二衬底内形成第二互联层，各薄膜晶体管经导电柱、导电轨、导电部及第一互联层与第二互联层连接。
本发明授权芯片结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片结构，其特征在于，包括： 衬底，包括层叠设置的第一衬底、指示层及第二衬底； 多个导电柱，设于所述衬底内，且各所述导电柱贯穿所述第一衬底和所述指示层； 导电轨层，设于所述第一衬底上，所述导电轨层包括多个导电轨，各所述导电轨与至少两个所述导电柱连接； 连接层，包括设于所述导电轨层上且具有多个连接口的介质部及设于所述连接口内并与所述导电轨连接的导电部； 器件层，设于所述连接层上，所述器件层包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的成型温度不大于预设温度，所述预设温度为所述导电柱和所述导电轨能承受的最大温度； 第一互联层，设于所述器件层上； 第二互联层，设于所述第二衬底内； 其中，各所述薄膜晶体管经所述导电柱、所述导电轨、所述导电部及所述第一互联层与所述第二互联层连接。
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