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龙图腾网获悉聚灿光电科技股份有限公司申请的专利一种高亮度、低泄漏、可靠性高的AlGaInP黄绿光LED外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855313B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411977272.7，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种高亮度、低泄漏、可靠性高的AlGaInP黄绿光LED外延片是由张瑶;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高亮度、低泄漏、可靠性高的AlGaInP黄绿光LED外延片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高亮度、低泄漏、可靠性高的AlGaInP黄绿光LED外延片。所述外延片包括依次生长在GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型GaInP腐蚀停层、N型GaAs欧姆接触层、N型AlGaInP电流扩展层、N型电子延缓层、N型AlInP限制层、多量子阱层、P型AlInP限制层、P型GaP电流扩展层和P型GaP欧姆接触层。通过引入电子延缓层、量子垒厚度梯度设计和Mg扩散阻挡层，有效抑制电子泄漏与Mg扩散，减少非辐射复合，显著提升LED的发光效率和高温工作稳定性。

本发明授权一种高亮度、低泄漏、可靠性高的AlGaInP黄绿光LED外延片在权利要求书中公布了：1.一种高亮度、低泄漏、可靠性高的AlGaInP黄绿光LED外延片，其特征在于，包括依次生长在GaAs衬底上的以下层结构： N型GaAs缓冲层，厚度为150-200nm，Si元素掺杂浓度为1×1018-2×1018atomscm3，掺杂剂为Si2H6； N型GaInP腐蚀停层，厚度为100-200nm，Si元素掺杂浓度为1×1018-3×1018atomscm3，掺杂剂为Si2H6； N型GaAs欧姆接触层，厚度为30-100nm，载流子浓度为3×1018-6×1018atomscm3，掺杂剂为Si2H6； N型AlGaInP电流扩展层，其厚度为1000-2500nm，成分为AlxGa1-x0.5In0.5P，其中0.6≤x≤1，载流子浓度为1×1018-3×1018atomscm3，掺杂剂为Si2H6； N型电子延缓层，具有多层超晶格结构，由AlyGa1-yInP、Al0.5In0.5P、Al0.65In0.35P子层组成，其中0.6≤y≤0.8，所述N型电子延缓层中，各子层的厚度沿外延生长方向逐层递增，具体按照以下公式确定：第n层厚度=初始厚度+最大厚度总层数×n-1，其中： AlyGa1-yInP子层最大厚度为10-20nm，初始厚度为3-5nm； Al0.5In0.5P子层最大厚度为15-25nm，初始厚度为5-7nm； Al0.65In0.35P子层最大厚度为5-10nm，初始厚度为1-3nm； 总层数为10-25对，Si元素掺杂浓度为1×1018-2×1018atomscm3，掺杂剂为Si2H6； N型AlInP限制层，厚度为150-350nm，载流子浓度为7×1017-2×1018atomscm3，掺杂剂为Si2H6； 多量子阱层，包含30-80对量子阱与量子垒，每一对由一个量子阱和一个量子垒组成，其中： 每个量子阱厚度为3-5nm； 量子垒的厚度沿生长方向从10-15nm逐层递减至4-6nm； 量子垒的Al含量从AlaGa1-aInP逐渐增加至AlbGa1-bInP，其中0.6≤a≤0.7,0.8≤b≤0.9； P型AlInP限制层，厚度为250-600nm，在P型AlInP限制层中，沿着其厚度方向，设置厚度为50-150nm的Mg扩散阻挡层，该Mg扩散阻挡层的厚度为50-150nm，掺杂浓度为1×1017-3×1017atomscm3，其余部分载流子浓度为8×1017-1.5×1018atomscm3，掺杂剂为Cp2Mg； P型GaP电流扩展层，分为： 底部低Mg掺杂层，厚度为200-300nm，Mg元素掺杂浓度为3×1017-5×1017atomscm3，顶部高Mg掺杂层，厚度为300-1500nm，Mg元素掺杂浓度为4×1018-8×1018atomscm3，掺杂剂为Cp2Mg； P型GaP欧姆接触层，厚度为30-100nm，载流子浓度为0.5×1020-2×1020atomscm3，掺杂剂为CBr4或CCl4。

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