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龙图腾网获悉国投陶瓷基复合材料研究院(西安)有限公司申请的专利高导热Cf/SiC-ZrB2-Diamond复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119797948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411939483.1，技术领域涉及：C04B35/80；该发明授权高导热Cf/SiC-ZrB2-Diamond复合材料及其制备方法是由成溯;薛正伟;陆彤;符佳伟;邓莹莹;刘光海设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本高导热Cf/SiC-ZrB2-Diamond复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及复合材料制备方法，具体涉及一种高导热CfSiC‑ZrB2‑Diamond复合材料制备方法及高导热CfSiC‑ZrB2‑Diamond复合材料，解决现有技术中存在预制体内部的金刚石颗粒缺乏保护，并且CSiC‑Diamond复合材料孔隙率偏高，不利于复合材料导热性能提升的不足之处。本发明的制备方法在碳纤维预制体表面沉积热解碳层和SiC层，再通过浸渍树脂基浆料在纤维束表面形成含超高温陶瓷的屏蔽层，之后将真空压力浸渍和超声浸渍相结合引入金刚石颗粒，再在浸渍颗粒表面制备碳化硅保护层，然后使用改性酚醛树脂引入酚醛碳，通过渗透反应制备得到高导热CfSiC‑ZrB2‑Diamond复合材料。

本发明授权高导热Cf/SiC-ZrB2-Diamond复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高导热CfSiC-ZrB2-Diamond复合材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，在编制的预制体上依次沉积热解碳层和SiC层，得到半致密多孔CfSiC预制体； S2，在酚醛树脂溶液中加入ZrB2颗粒或SiC颗粒，球磨得到第一浆料； S3，利用第一浆料对步骤S1得到的半致密多孔CfSiC预制体依次进行真空压力浸渍、固化及裂解处理； S4，利用第二浆料经步骤S3处理的预制体依次进行超声浸渍、固化及裂解处理，得到填充超高温陶瓷和金刚石基体的预制体；第二浆料通过在酚醛树脂溶液中加入ZrB2颗粒和金刚石颗粒，混合均匀得到； S5，在填充超高温陶瓷和金刚石基体的预制体内部制备含金刚石颗粒的碳化硅保护层；具体为： S5.1，在液态聚碳硅烷中加入2-5vol.%的3-5μm金刚石颗粒，搅拌分散后得到第三浆料，在真空条件下，将步骤S4得到的预制体浸没到第三浆料中，保持真空条件0.5-1小时，随后加压，在0.5MPa-1.4MPa下保压0.5-1小时后取出； S5.2，将经步骤S5.1处理的预制体在真空环境中，温度为120-180℃的条件下，固化2-6小时，随后在真空环境下900-1200℃保温1-3小时进行裂解处理； S6，将经步骤S5处理的预制体浸没到采用金属盐改性的酚醛树脂溶液中，再将其取出，进行碳化，得到CSiC-ZrB2-Diamond-C多孔预制体；所述金属盐为含镍金属盐或含铜金属盐； S7，对步骤S6得到的CSiC-ZrB2-Diamond-C多孔预制体进行液硅渗透反应，得到高导热CfSiC-ZrB2-Diamond复合材料，完成制备。

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