买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉温州大学申请的专利一种基于MOS管漏电流的富激励响应对弱PUF电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119760796B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411719373.4，技术领域涉及：G06F21/73；该发明授权一种基于MOS管漏电流的富激励响应对弱PUF电路是由李刚;邵禧龙;汪鹏君;李辉设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MOS管漏电流的富激励响应对弱PUF电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于MOS管漏电流的富激励响应对弱PUF电路，包括第一译码器、第二译码器、第三译码器、第四译码器、第一PUF阵列、第二PUF阵列、2个传输门阵列和1个共享头，每个PUF阵列均包括2q个列单元，q为大于1的整数，每个列单元均包括2p个NMOS单元，p为大于1的整数，每个NMOS单元均包括一个NMOS管，第一PUF阵列和第二PUF阵列分别在第一译码器、第三译码器和第二译码器、第四译码器对激励信号的译码作用下，第一PUF阵列中的某个列单元中的某个NMOS单元能够与第二PUF阵列中的任意一个列单元中的任意一个NMOS单元进行对比产生最终输出响应；优点是在保持较少硬件开销的情况下，实现PUF熵源利用率提升2p+q倍，显著提升CRPs数量。

本发明授权一种基于MOS管漏电流的富激励响应对弱PUF电路在权利要求书中公布了：1.一种基于MOS管漏电流的富激励响应对弱PUF电路，其特征在于包括第一译码器、第二译码器、第三译码器、第四译码器、2个PUF阵列、2个传输门阵列和1个共享头，每个PUF阵列均包括2q个列单元，q为大于1的整数，每个列单元均包括2p个NMOS单元，p为大于1的整数，每个NMOS单元均包括一个NMOS管，将2个PUF阵列分别称为第一PUF阵列和第二PUF阵列，将2个传输门阵列分别称为第一传输门阵列和第二传输门阵列；所述的第一译码器用于接入第一组p位激励信号，并将其译码成2p位行选择信号，输出至所述的第一PUF阵列，所述的第一PUF阵列在该2p位行选择信号控制下，其内每个列单元中一个NMOS单元被选中导通工作在亚阈值区产生1位响应输出至所述的第一传输门阵列，即所述的第一PUF阵列产生2q位响应输出至所述的第一传输门阵列，所述的第二译码器用于接入第二组p位激励信号，并将其译码成2p位行选择信号输出至所述的第二PUF阵列，所述的第二PUF阵列在该2p位行选择信号控制下，其内每个列单元中一个NMOS单元被选中导通产生1位响应输出至所述的第二传输门阵列，即所述的第二PUF阵列产生2q位响应输出至所述的第二传输门阵列，所述的第三译码器用于接入第一组q位激励信号，并将其译码为2q位选择信号输出至所述的第一传输门阵列，所述的第四译码器用于接入第二组q位激励信号，并将其译码为2q位选择信号输出至所述的第二传输门阵列，所述的第一传输门阵列用于在所述的第三译码器输出至其处的2q位选择信号控制下，选择所述的第一PUF阵列输出至其处的2q位响应中的1位响应输出至所述的共享头，所述的第二传输门阵列用于在所述的第四译码器输出至其处的2q位选择信号控制下，选择所述的第二PUF阵列输出至其处的2q位响应中的1位响应输出至所述的共享头，所述的共享头用于对所述的第一传输门阵列输出至其处的1位响应以及所述的第二传输门阵列输出至其处的1位响应进行比较，根据比较结果产生最终的PUF响应输出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人温州大学，其通讯地址为：325000 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。