山东齐芯微系统科技股份有限公司刁裕博获国家专利权
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龙图腾网获悉山东齐芯微系统科技股份有限公司申请的专利洁净无损的二维半导体材料转移方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119663434B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510182756.0，技术领域涉及：C30B25/02；该发明授权洁净无损的二维半导体材料转移方法是由刁裕博;李虎设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本洁净无损的二维半导体材料转移方法在说明书摘要公布了：本发明属于二维材料技术领域，具体涉及洁净无损的二维半导体材料转移方法。所述转移方法包括以下步骤：在生长衬底上生长二维半导体材料，然后在二维半导体表面生长无机保护层并旋涂有机聚合物支撑层，加热固化后，将生长衬底剥离，再将剥离后的结构转移到目标衬底上，去除有机聚合物支撑层，得到无机保护层二维半导体目标衬底结构，完成二维半导体材料转移。本发明的二维半导体材料转移方法简单易行，不仅实现了二维半导体材料的洁净无损转移，同时可以保护转移后的二维半导体材料免受空气中水和氧的影响，最大限度保留二维半导体材料的原始性能。
本发明授权洁净无损的二维半导体材料转移方法在权利要求书中公布了：1.一种洁净无损的二维半导体材料转移方法，其特征在于：包括以下步骤： 1在生长衬底上生长二维半导体材料，得到二维半导体生长衬底结构； 2在二维半导体生长衬底结构的二维半导体表面生长无机保护层并旋涂有机聚合物支撑层，然后加热固化，得到有机聚合物支撑层无机保护层二维半导体生长衬底结构； 3将有机聚合物支撑层无机保护层二维半导体生长衬底结构上的生长衬底剥离，然后将剥离后的有机聚合物支撑层无机保护层二维半导体结构转移到目标衬底上，得到有机聚合物支撑层无机保护层二维半导体目标衬底结构； 4将有机聚合物支撑层无机保护层二维半导体目标衬底结构上的有机聚合物支撑层去除，然后转移至异丙醇中浸泡，取出干燥，得到无机保护层二维半导体目标衬底结构，完成二维半导体材料转移； 所述二维半导体材料为二硫化钼；所述无机保护层为HfO2； 步骤3中，在剥离生长衬底时，将有机聚合物支撑层无机保护层二维半导体生长衬底结构浸入液氮中，取下有机聚合物支撑层无机保护层二维半导体结构。
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