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龙图腾网获悉福州大学;闽都创新实验室申请的专利一种宽带隙籽晶层实现高效载流子输运硒化锑太阳电池的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119654035B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411835914.X，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种宽带隙籽晶层实现高效载流子输运硒化锑太阳电池的方法是由王伟煌;江艳婷;程树英设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽带隙籽晶层实现高效载流子输运硒化锑太阳电池的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种宽带隙籽晶层实现高效载流子输运硒化锑太阳电池的方法。本发明通过在CdSSb2Se3异质结界面处引入宽带隙Sb2S,Se3籽晶层来辅助Sb2Se3纳米带的垂直生长，并在异质结界面处引入S元素，拓宽异质结界面带隙，从而有效抑制了异质结界面反应。相比于目前广泛采用的Sb2S3和Sb2Se3种子层，Sb2S,Se3种子层更有利于兼顾取向和界面带隙匹配，从而促进器件载流子输运的同时增大器件的开路电压。

本发明授权一种宽带隙籽晶层实现高效载流子输运硒化锑太阳电池的方法在权利要求书中公布了：1.一种宽带隙籽晶层实现高效载流子输运硒化锑太阳电池的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1FTO玻璃清洗； 2沉积CdS薄膜； 3CdCl处理：将CdCl与甲醇混合，之后在匀胶机上将CdCl溶液旋涂在CdS薄膜上，然后置于400℃的热台上空气退火11min，等到其自由冷却后取出备用； 4.1VTD法制备SbS,Se籽晶层：清洗管子后，放入处理后的玻璃衬底、0.008gSb粉末、0.02gSbSe粉末，放入罩子、石墨挡后，确认放气口已关闭，打开真空泵，石英管充入惰性气体后保持100Pa的压强，启动管式炉，管式炉程序设定为从室温在11分30秒的时间内将温度提升至540℃并保温90s；程序跑完后，打开炉子降温至100℃时，取出玻璃片； 4.2VTD法制备SbSe薄膜：放入0.02gSbSe粉末和沉积完籽晶层的衬底，放入罩子、底托、石墨挡后，确认放气口已关闭，打开真空泵，保持0.2Pa的真空压强条件，启动管式炉，管式炉程序设定为从室温在11分30秒的时间内将温度提升至540℃并保温90s；程序跑完后，打开炉子降温至100℃时，取出玻璃片； 5Spiro-OMeTAD空穴传输层的制备； 6蒸发Au电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福州大学;闽都创新实验室，其通讯地址为：350108 福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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