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龙图腾网获悉国投陶瓷基复合材料研究院(西安)有限公司申请的专利一种SiC纳米线原位改性陶瓷基复合材料连接紧固件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119638466B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411882646.7，技术领域涉及：C04B35/80；该发明授权一种SiC纳米线原位改性陶瓷基复合材料连接紧固件及其制备方法是由郭楚楚;冯丹妮;赵帆;王钰磊设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC纳米线原位改性陶瓷基复合材料连接紧固件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiC纳米线原位改性陶瓷基复合材料连接紧固件及其制备方法，属于陶瓷基复合材料技术领域。其制备方法包括以下步骤：先对纤维预制体进行热处理，再以三氯化硼和氨气乙烯为先驱体进行CVD或CVI沉积，然后于催化剂溶液浸渍、烘干，最后以三氯甲基硅烷为先驱体进行CVI沉积，制得复合材料预制体；先以四氯化硅和氨气为先驱体对复合材料预制体进行CVD或CVI沉积，再于先驱体溶液中浸渍、烘干，进行真空裂解处理，最后以四氯化硅和氨气为先驱体进行CVI沉积，加工螺纹，制得。本发明通过原位生长SiC纳米线的方式在增强增韧的同时实现快速致密化，具备制备周期短，产品力学性能好，连接效率高等优点。

本发明授权一种SiC纳米线原位改性陶瓷基复合材料连接紧固件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC纳米线原位改性陶瓷基复合材料连接紧固件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1先对纤维预制体进行热处理，再以三氯化硼和氨气或三氯化硼和乙烯为先驱体进行CVD或CVI沉积制备界面层，然后于催化剂溶液中浸渍、烘干，最后以三氯甲基硅烷为先驱体进行CVI沉积，制得复合材料预制体； 2先以四氯化硅和氨气为先驱体对步骤1所得复合材料预制体进行CVD或CVI沉积，制备预加工试样，再于先驱体溶液中浸渍、烘干，然后进行真空裂解处理，最后再次以四氯化硅和氨气为先驱体进行CVI沉积后，加工螺纹，制得； 所述步骤1中催化剂包括二茂铁、苯乙酸铁、二茂镍、乙酸镍、硝酸镍和氯化镍中任意一种； 所述步骤2中先驱体溶液中先驱体材料、溶剂和催化剂的质量比为35-50：50-65：3-7；先驱体材料为聚碳硅烷、聚硅氮烷、聚锆碳烷和聚硼锆烷中至少一种；催化剂为二茂铁、苯乙酸铁、二茂镍、乙酸镍、硝酸镍和氯化镍中至少一种；浸渍的时间为30-60min，烘干的温度为70-80℃，时间为3-5h。

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