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龙图腾网获悉北京卫星制造厂有限公司申请的专利一种适用于宇航固态功率控制的GaN HEMT器件抗辐照评价电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119575113B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411656774.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种适用于宇航固态功率控制的GaN HEMT器件抗辐照评价电路是由李辉耀;纪明明;李丽;万成安;张宇环;郭晓峰;唐林江;孙晓峰;皇志启;王宝琳设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于宇航固态功率控制的GaN HEMT器件抗辐照评价电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于宇航固态功率控制的GaNHEMT器件抗辐照评价电路，包括：IDS测量单元、VDS测量单元、Vgs测量单元、Ig测量单元、信号调理单元、负载模拟单元，数据在线控制及监控单元。本发明能够实现对电路中发生单粒子效应、总剂量效应的实时在线检测和评估，保障电路运行的安全性，同时为电路故障排查提供了可靠的评价方法。对GaNHEMT器件面向宇航固态功率控制的应用安全使用具有重要意义。本发明解决了常规GaNHEMT器件的抗辐照试验器件无法同时实现关键数据的在线测量、测试数据样本不连续，测试效率低等问题。

本发明授权一种适用于宇航固态功率控制的GaN HEMT器件抗辐照评价电路在权利要求书中公布了：1.一种适用于宇航固态功率控制的GaNHEMT器件抗辐照评价电路，其特征在于：包括IDS测量单元、VDS测量单元、Vgs测量单元、Ig测量单元、信号调理单元、负载模拟单元、数据在线控制及监控单元； 所述的IDS测量单元及Ig测量单元分别用于测量GaNHEMT器件的漏源之间的动态电流IDS、GaNHEMT器件的栅源之间的动态电流Ig； 所述的Vgs测量单元采用低压运放差分采样方式实现，实时测量GaNHEMT器件栅源两端电压值； 所述的VDS测量单元采用低压运放差分采样方式实现，实时测量GaNHEMT器件漏源两端电压值； 所述的信号调理单元通过接收数据在线控制及监控单元下传的控制指令实现GaNHEMT器件驱动供电电压值及电压极性切换，实现GaNHEMT器件不同试验工况下的供电； 所述的负载模拟单元采用开关K1~K5实现对该通路的选通，RL2~RL5分别对应不同电流及功率下的电阻，实现不同电流及功率下的测量； 数据在线控制及监控单元通过串行数据总线与上位机进行互联，在抗辐照试验评价前由上位机提前设定好对应的测试工况，根据不同的测试工况动态调整负载模拟单元的开关组合选通以及信号调理单元的信号输出，同时实时读取IDS测量单元采集到的R1上的电压放大信号记录为Vo_IDS、VDS测量单元采集到的电压信号记录为Vo_VDS、Vgs测量单元采集到的电压信号记录为Vo_Vgs、Ig测量单元记录的电压放大信号记录为Vo_Ig、信号调理单元输出值，并将数组合成数据包后进行实时存储用于抗辐照评价； 所述的信号调理单元实现±6V之间的电压输出调节，产生稳态电压信号、周期性开通关断信号两大类，其中开通关断信号可调节，特性为缓开通慢关断调制信号，信号上升建立时间根据GaNHEMT器件应用于对应的宇航固态功率控制器的特性设定。

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