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龙图腾网获悉深圳技术大学申请的专利一种溴掺杂甲基碘化铵钙钛矿X射线探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451376B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411487038.6，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权一种溴掺杂甲基碘化铵钙钛矿X射线探测器及其制备方法是由李佳;张梦培;孙帅设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种溴掺杂甲基碘化铵钙钛矿X射线探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种溴掺杂甲基碘化铵钙钛矿X射线探测器及其制备方法，其包括从下向上依次设置的导电基底、空穴传输层、溴掺杂甲氨基钙钛矿吸收层、电子传输层、空穴阻挡层及金属阴极，溴掺杂甲氨基钙钛矿吸收层采用MAPbI1‑xBrx3材料，空穴传输层采用聚[双4‑苯基2,4,6‑三甲基苯基胺]PTAA材料，电子传输层采用C60材料，空穴阻挡层采用2,9‑二甲基‑4,7二苯基‑1,10‑菲啰啉材料。其通过在甲基碘化铵中掺杂少量的Br，可以有效降低器件暗电流，掺杂后的钙钛矿颗粒变大，晶界缺陷态密度降低，展现较长的荧光寿命，吸收层内的非辐射复合减少，通过设计匹配的器件结构，增大了光生载流子的分离与提取，优化后的X射线探测器具备优异性能，在器件结构与成分优化方面展现出一定的优势。

本发明授权一种溴掺杂甲基碘化铵钙钛矿X射线探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种溴掺杂甲基碘化铵钙钛矿X射线探测器，其特征在于，包括从下向上依次设置的导电基底、空穴传输层、溴掺杂甲氨基钙钛矿吸收层、电子传输层、空穴阻挡层及金属阴极，溴掺杂甲氨基钙钛矿吸收层采用MAPbI1-xBrx3材料，0%x≤20%，空穴传输层采用聚[双4-苯基2,4,6-三甲基苯基胺]PTAA材料，电子传输层采用C60材料，空穴阻挡层采用2,9-二甲基-4,7二苯基-1,10-菲啰啉材料；所述溴掺杂甲基碘化铵钙钛矿材料为多晶薄膜； 所述的溴掺杂甲基碘化铵钙钛矿X射线探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1将ITO导电玻璃清洗后作为导电基底； 2取聚[双4-苯基2,4,6-三甲基苯基胺]材料溶解于甲苯溶剂中，加热搅拌、过滤后，旋涂在干净的导电基底上，随后130℃退火形成空穴传输层； 3甲基碘化铵MAI，PbI2和PbBr2作为溶质溶于γ-丁内酯溶剂内得到质量分数为78wt%的溶液，随后80-100℃周期震荡反应，加入γ-丁内酯质量30%-40%的α松油醇，继续80-100℃周期震荡4-6h，最终得到钙钛矿悬浊液前体浆料，将该钙钛矿悬浊液前体浆料刮涂在空穴传输层上方，随后120℃退火形成溴掺杂甲氨基钙钛矿吸收层MAPbI1-xBrx3，PbI2+PbBr2：MAI的摩尔比为1：1，PbBr2占PbI2和PbBr2总量的摩尔百分数大于0%小于等于20%； 4将3步骤制备的器件放入真空蒸镀机内，依次蒸镀电子传输层C60，空穴阻挡层2,9-二甲基-4,7二苯基-1,10-菲啰啉BCP和金属阴极； 溴掺杂甲氨基钙钛矿吸收层厚度为405-825µm。

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