福建省晋华集成电路有限公司林玙璠获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411349995.2，技术领域涉及：H10W70/01；该发明授权一种半导体结构的制备方法是由林玙璠;李文章设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过去除闭环线图案、栅条状图案、柱状阵列图案及包围图案所对应的部分焊盘结构的方式，实现改善半导体结构因存储单元密度持续提升而衍生的焊盘结构缺陷，避免焊盘结构发生坍塌的目的。
本发明授权一种半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括第一区和第二区； 形成目标层位于所述基底的所述第一区和所述第二区上； 形成硬掩膜层位于所述目标层上； 形成第一图案位于所述硬掩膜层的所述第一区上，所述第一图案包括多个柱状阵列图案和围绕所述柱状阵列图案的包围图案； 形成第二图案位于所述硬掩膜层的所述第二区上，所述第二图案包括多个闭环线图案和多个栅条状图案，且一所述栅条状图案位于一所述闭环线图案围成的封闭区域的空隙中； 形成阻挡层位于所述第一图案和所述第二图案上； 以所述阻挡层为掩膜，将所述第二图案的所述闭环线图案切断为单根线图案； 以所述第一图案和切断后的所述第二图案为掩膜，将所述第一图案和所述第二图案形成在所述目标层中； 其中，形成所述第二图案的步骤，包括： 形成第一过渡层位于所述硬掩膜层上； 形成所述多个栅条状图案位于所述第一过渡层的所述第二区上； 形成间隔壁包裹在所述栅条状图案的侧壁上； 形成第二过渡层位于所述第二区的所述第一过渡层上，且所述第二过渡层包裹所述间隔壁； 移除所述间隔壁，在所述第二区上的所述第二过渡层上形成围绕在所述栅条状图案外侧且与其具有空隙的闭环线图案； 以所述第二过渡层为掩膜，将所述栅条状图案和所述闭环线图案形成在所述硬掩膜层的第二区上。
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