中国电子科技集团公司第十研究所朱勇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十研究所申请的专利一种基于玻璃基SiP封装的超宽带多层垂直互连结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411035825.7，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权一种基于玻璃基SiP封装的超宽带多层垂直互连结构是由朱勇;张睿;王舒怀;钟慧;陆宇设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于玻璃基SiP封装的超宽带多层垂直互连结构在说明书摘要公布了：本发明涉及射频前端技术领域，具体公开了一种基于玻璃基SiP封装的超宽带多层垂直互连结构，包括设置有信号线一的第一介质层、设置有信号线二的第二介质层、设置在第一介质层与第二介质层之间的介质层单元、用于信号线一和信号线二的信号通孔、以及设置在信号线一、信号线二外侧均设置接地屏蔽结构；第一介质层、介质层单元、第二介质层呈层叠设置；信号线一与信号线二在第二介质层上的投影相互垂直；信号通孔的外侧经过每层介质层上均设置有焊盘结构；在所述第二介质层上设置有焊盘结构位置对应的空气腔。本发明通过在垂直互连结构的下方添加空腔，并使用高低阻抗结构，实现了降低了信号线跨多层传输的损耗，改善了信号在链路的传输性能。
本发明授权一种基于玻璃基SiP封装的超宽带多层垂直互连结构在权利要求书中公布了：1.一种基于玻璃基SiP封装的超宽带多层垂直互连结构，其特征在于，包括设置有信号线一11的第一介质层1、设置有信号线二41的第二介质层4、设置在第一介质层1与第二介质层4之间的介质层单元、用于信号线一11和信号线二41的信号通孔20、以及设置在信号线一11、信号线二41外侧均设置接地屏蔽结构；所述第一介质层1、介质层单元、第二介质层4呈层叠设置； 所述信号线一11与信号线二41在第二介质层4上的投影相互垂直；所述信号通孔20的外侧均设置有焊盘结构；在所述第二介质层4上设置有焊盘结构位置对应的空气腔10。
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