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龙图腾网获悉江苏赛威德电子材料有限公司申请的专利一种改性RB-SiC陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118405927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410520042.1，技术领域涉及：C04B35/573；该发明授权一种改性RB-SiC陶瓷及其制备方法是由汪洋;董家海;斯超波设计研发完成，并于2024-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改性RB-SiC陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种改性RB‑SiC陶瓷，包括改性RB‑SiC陶瓷基体和SiC涂层；其中，改性RB‑SiC陶瓷基体由α‑SiC相、β‑SiC相和游离Si组成，在改性RB‑SiC陶瓷基体的截面照片中α‑SiC相与β‑SiC相的比例为3:7‑7:3，游离Si在改性RB‑SiC陶瓷基体中的体积占比小于1%；SiC涂层的厚度为1‑100μm。还公开了一种上述改性RB‑SiC陶瓷的制备方法，步骤如下：高纯RB‑SiC分别于1500℃‑1700℃和1900℃‑2100℃进行真空热处理；将热处理完成的RB‑SiC陶瓷加工出所需尺寸形状；用混合酸溶液将RB‑SiC陶瓷进行酸洗，然后用纯净水进行漂洗；分别通过正反向强制对流CVI工艺在RB‑SiC陶瓷的内部孔隙中沉积SiC进行增密，使用CVD工艺，在RB‑SiC陶瓷表面沉积出SiC涂层。本发明的改性RB‑SiC陶瓷孔隙率显著降低，高温下力学性能明显提升，可以在1400摄氏度以上的环境中正常使用。

本发明授权一种改性RB-SiC陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改性RB-SiC陶瓷，可在1400摄氏度以上环境中使用，其特征在于：包括改性RB-SiC陶瓷基体和SiC涂层；所述改性RB-SiC陶瓷基体由α-SiC相、β-SiC相和游离Si组成，在所述改性RB-SiC陶瓷基体的截面照片中所述α-SiC相与所述β-SiC相的比例为3:7-7:3，所述游离Si在所述改性RB-SiC陶瓷基体中的体积占比小于1%；所述SiC涂层的厚度为1-100μm； 该改性RB-SiC陶瓷的制备方法，包括以下步骤： S1、选用高纯RB-SiC陶瓷放入真空炉中，于1500℃-1700℃下进行真空热处理，用于去除所述高纯RB-SiC陶瓷中的游离Si，得到具有多孔结构的RB-SiC陶瓷； S2、随后继续升高所述真空炉内温度至1900℃-2100℃进行真空热处理，使所述RB-SiC陶瓷内部SiC颗粒重新结晶，生成连续的三维网状结构； S3、取出热处理完成的所述RB-SiC陶瓷，将RB-SiC陶瓷加工出所需尺寸形状； S4、用氢氟酸和硝酸配置出3%—10%浓度的混合酸溶液，将加工完成的所述RB-SiC陶瓷放置于所述混合酸溶液中进行酸洗，然后用纯净水进行漂洗3—10次，去除所述RB-SiC陶瓷上残余的游离Si和金属杂质； S5、将清洗后的所述RB-SiC陶瓷放置在卧式反应炉中，使所述RB-SiC陶瓷的多孔结构面垂直于所述卧式反应炉内的反应气体流动方向并通过挡板固定，使所述反应气体只能从所述RB-SiC陶瓷的正面孔隙流入，背面孔隙流出，通过强制对流CVI工艺在所述RB-SiC陶瓷的内部孔隙中沉积SiC进行增密； S6、步骤S5完成后将所述卧式反应炉中所述反应气体流动方向颠倒，使得所述反应气体从所述RB-SiC陶瓷的背面孔隙流入，正面空隙流出；通过强制对流CVI工艺在所述RB-SiC陶瓷的内部孔隙中沉积SiC进行增密； S7、所述RB-SiC陶瓷增密结束后，拆除所述卧式反应炉内的所述挡板，使用CVD工艺，在所述RB-SiC陶瓷表面沉积出SiC涂层； S8、待所述RB-SiC陶瓷降温后将其取出，得到可在1400℃以上环境中使用的改性RB-SiC陶瓷。

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